Infineon Technologies EVAL-1ED3330MC12M-SiC Evaluierungsboard
Das Evaluierungsboard EVAL-1ED3330MC12M-SiC von Infineon Technologies ist für die Auswertung des isolierten Gatetreibers 1ED3330MC12M und diskreter Leistungsschalter in einer Halbbrücken-Bauform ausgelegt. Das Infineon EVAL-1ED3330MC12M-SiC Board enthält zwei 1ED3330MC12M ICs und eine galvanisch getrennte Onboard-Stromversorgung, die mit dem 2EP130R Transformator-Treiber-IC erzeugt wird. Die Platine enthält zwei nicht montierte IMZC120R012M2H CoolSiC™ 1.200 V SiC Trench MOSFETs in einem TO247-4 Gehäuse, die zur Evaluierung anderer Infineon-Schalter eingesetzt werden können.
Merkmale
- Entwickelt zur Evaluierung des isolierten Gate-Treiber-ICs 1ED3330MC12M
- IMZC120R012M2H CoolSiC 1.200-V-SiC-Trench-MOSFETs in TO247-4 (unmontiert) in einer Halbbrücken-Konfiguration
- Pure-PMOS-Sourcing-Stufe für optimalen Wirkungsgrad
- Integrierte Schutzfunktionen wie Kurzschlussschutz (DESAT), Soft-Off-Fehlerabschaltung, aktiver Miller-Clamp-Treiber und aktive Abschaltung
- 12 A typischer Spitzenstrom
- Separate Quellen- und Senken-Ausgänge
- 35 V Versorgungsspannung maximale Ausgangsversorgungsspannung
- Unterspannungssperre für SiC MOSFETs an den positiven und negativen Versorgungsspannungsleitungen
- 75 ns kurze Laufzeitverzögerungen (typisch) und enge IC-zu-IC- Laufzeitverzögerungen
- Sehr schnelle DESAT Erkennung und -Benachrichtigung
- Hohe Gleichtakt-Transientenimmunität CMTI > 200kV/µs
- Feines Pitch DSO-16 Wide-Body-Gehäuse mit 8 mm Kriechweg für optimalen PCB Footprint
- Treiber GATE-Sicherheitszertifizierung
- UL 1577 (geplant) mit VISO anerkannt, Prüfung = 6.840 VRMS für 1 s, VISO = 5.700 VRMS für 60 s
- Erhöhte Isolierung gemäß IEC 60747-17 (geplant) mit VIORM = 1.767 V
- PCB -Layout für optimales Betriebsverhalten der Halbbrücke
- Die eingebaute, konfigurierbare und isolierte Onboard-Stromversorgung für die GATE-Treiberausgangsseite ist leicht einstellbar und erzeugt typische bipolare Treiberspannungen.
- Eingebaute Stromversorgung für die GATE-Treiber-Eingangsseite, einfach konfigurierbar zur Generierung 3,3 V oder 5 V
- Schnelle Kurzschluss-Sicherung und Feedback
- Unterspannungssperre (UVLO) für alle GATE-Treiber-Versorgungsspannungen
- Verriegelte Pulsweitenmodulation (PWM)-Eingänge für Durchzündungsschutz
- Testpunkte zur Überwachung kritischer Signale
- Integrierte isolierte Stromversorgung konzipiert mit dem Transformator-Treiber-IC 2EP130R
- Breiter Eingangsspannungsbereich von 4,5 V bis 20 V
- Weitreichender Bereich der Schaltfrequenz von 50 kHz bis 695 kHz
- 10 % bis 50 % Einstellungsgenauigkeit
- Sanftanlauf mit Spitzenstromsteuerung
- Übertemperatur- und Überstromschutz
- Bereit-Signal zur Anzeige des erfolgreichen Abschlusses des Sanftanlaufs.
Applikationen
- Industrielle Motorantriebe
- Solarwechselrichter
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- Schaltermodus-Stromversorgung (SMPS)
- Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV)
- Leistungsumwandlung
Lieferumfang Kit
- EVAL-1ED3330MC12M-SiC Evaluierungsboard
- 2x IMZC120R012M2H CoolSiC™ 1.200 V SiC Trench MOSFETs zur Bestückung
- Hochvolt-PCB-Steckverbinder (eingesteckt in die Hochvolt-PCB-Anschluss-Stiftleiste)
Blockdiagramm
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Veröffentlichungsdatum: 2025-09-25
| Aktualisiert: 2025-10-07