Infineon Technologies DDB6U134N16RR IGBT-Siliziummodule
Infineon Technologies DDB6U134N16RR IGBT-Siliziummodule bieten eine Durchlassspannung von 1,35 V bei 100 A und eine Verlustleistung von 500 W. Die Bauteile werden in einem maximalen Temperaturbereich von -40 °C bis +150 °C betrieben. Die DDB6U134N16RR IGBT-Siliziummodule von Infineon sind in einem Gehäuse von 45 mm x 107,5 mm x 20,5 mm (B x L x H) erhältlich.
Merkmale
- Durchlassspannung von 1,35 V bei 100 A
- Maximale Betriebstemperatur: -40 °C bis +150° C
- Verlustleistung: 500 W
- Ausgangsstrom: 134 A
- Durchlassstrom: 35 A
Abmessungen (mm):
Veröffentlichungsdatum: 2022-09-20
| Aktualisiert: 2022-09-26