Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650 V
Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650 V kombinieren die physikalische Stärke von Siliciumcarbid mit Funktionen, die die Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit des Bauelements verbessern. Mit seinem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren liefert der CoolSiC™ MOSFET die niedrigsten Verluste in der Applikation und die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb. CoolSiC eignet sich hervorragend für den Einsatz in Applikationen mit hohen Temperaturen und rauen Umgebungen.
Empfohlene Produkte
Das große Angebot an Gate-Treiber-ICs von Infineon ergänzt das Angebot an diskreten SiC-Produkten und bietet die perfekte Lösung für ultraschnelle SiC-MOSFET-Schaltungen. Durch den gemeinsamen Einsatz von CoolSiC-MOSFETs und EiceDRIVER™-Gate-Treiber-ICs kann die SiC-Technologie den Wirkungsgrad verbessern, Platz und Gewicht sparen, die Anzahl der Bauelemente reduzieren und die Zuverlässigkeit des Systems erhöhen.
Portfolio von Gate-Treiber-ICs für CoolSiC MOSFET 650 V mit maßgeschneiderten UVLO-Pegeln zum Schutz von SiC-MOSFET
Die CoolSiC™ 650-V-MOSFETs von Infineon Technologies sind in 3-Pin-TO-247-, 4-Pin-TO-247- und 7-Pin-D2PAK-Gehäusenerhältlich.
Vorteile von .Die XT-Verbindungstechnologie wird in diskreten CoolSiC™-MOSFETs-Gehäusen für eine verbesserte Systemleistungsdichte verwendet. Der Diffusionslötprozess von Infineon schafft eine starke thermische Verbindung zwischen dem Chip und dem Kühlkörper, was zu einer bis zu 30 % höheren Wärmeableitung und bis zu 15 K niedrigeren Betriebstemperatur sowie einer längeren Lebensdauer führt.
Merkmale
- Robuste schnelle Kommutierungs-Bodydiode mit niedriger Sperrverzögerungsladung (Qrr)
- Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
- Niedrige Kapazitäten
- Führende Trench-Technologie mit überlegener Gate-Oxid-Zuverlässigkeit
- Crss.XT-Verbindungstechnologie für eine erstklassige thermische Leistung
- Erhöhte Avalanche-Fähigkeit
- Funktioniert mit Standard-Treibern
- Optimiertes Schaltverhalten bei höheren Strömen
- Hohe Leistungsfähigkeit, hohe Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit
- Ermöglicht hohe Systemeffizienz und Leistungsdichte
- Reduziert die Systemkosten und Komplexität
- Ermöglicht billigere, einfachere und kleinere Systeme
- Funktioniert in Topologien mit kontinuierlicher harter Kommutierung
- Geeignet für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen
- Ermöglicht bidirektionale Topologien
Applikationen
- Server
- Telekommunikation
- SNT
- Solarenergiesysteme
- Stromspeicherung
- Batterieformatierung
- USV
- EV-Ladung
- Motorantriebe
Blockdiagramm
Development Tools
Infineon Technologies 3 kW 50 V Server- und Rechenzentrum-Netzteil-Referenzdesign
Komplettes Netzteil-Referenzdesign, das auf die Gleichrichter-Spezifikationen von Open Compute V3 ausgerichtet ist.
Infineon Technologies REF_3K3W_HFHD_PSU PSU mit hoher Leistungsdichte
3,3 kW, 95W/in³ und 500 kHz PSU, die auf die Spezifikationen für Server- und Rechenzentrumsapplikationen ausgerichtet sind.
Infineon Technologies EVAL1EDSICPFC5KWTOBO1 Evaluierungsboard
LÖSUNG mit hohem Wirkungsgrad, die für Blindleistungskompensations-Applikationen (PFC) ausgelegt ist.
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