Infineon Technologies CoolSiC™ JFET-Transistoren

Die CoolSic™ JFET-Transistoren von Infineon Technologies sind ausgelegt, um den wachsenden Bedarf an leistungsstarker Solid-State-Stromverteilung und Schutz in sich schnell entwickelnden Umgebungen zu decken. Diese Transistoren liefern Spannungen von 750 V und 1200 V und ermöglichen, den Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit auf die nächste Stufe zu bringen. Die CoolSiC™ JFET-Transistoren zeichnen sich durch einen extrem niedrigen On-Widerstand von 1,6 mΩ aus, was dazu beiträgt, Leitungsverluste zu minimieren. Diese Transistoren bieten XT-Verbindungstechnologie, die ein verbessertes thermisches Betriebsverhalten und eine hohe Robustheit unter gepulsten und zyklischen Lasten sicherstellt. Die CoolSiC™ JFET-basierten Solid-State-Designs ermöglichen höhere Schaltgeschwindigkeiten und schnelle Defektisolierung, reduzieren das Risiko von Systemschäden, minimieren Ausfallzeiten und tragen zu einer längeren Systemlebensdauer bei. Typische Applikationen sind KI-Rechenzentren, Solid-State-Schutz, industrielle Leistungssysteme, Motor-Sanftanlasser und Überspannungsschutz.

Why Solid-State Power Distribution

The Solid-State Circuit Breakers (SSCBs) lead the way through the transition to digitalized power distribution demands with a new generation of protection devices. Modern power systems are shifting from mechanical switching to solid-state architectures to achieve faster, smarter, and more controllable protection. The CoolSiC™ JFET technology combines the advantages of silicon carbide with innovative packaging and advanced chip design, delivering unmatched efficiency, robustness, and reliability.

Why CoolSiC™ JFET from Infineon

Infineon’s CoolSiC™ JFET technology is designed to meet the growing demand for high-performance, solid-state power distribution and protection in rapidly evolving environments. The CoolSiC™ JFET transistors cover the 750V and 1200V classes, enabling system designers to push efficiency and reliability to the next level. An extremely low on-resistance of 1.6mΩ helps minimize conduction losses, making them ideal for high-current applications and enabling drop-in replacement of existing SiC MOSFET designs without requiring PCB redesign. These transistors feature an advanced .XT interconnection technology ensures improved thermal performance and high robustness under pulsed and cyclic loads. This makes them highly reliable even under overload and fault conditions. The CoolSiC™ JFET-based solid-state designs enable higher switching speeds compared to electromechanical solutions. This enables rapid fault isolation, reduces the risk of system damage, minimizes downtime, and extends system lifetime for mission-critical applications.

Merkmale

Hoher Wirkungsgrad mit minimierten Leitungs- und Schaltverlusten
Robuster Betrieb in rauen elektrischen und thermischen Umgebungen

Schneller, zuverlässiger Solid-State-Schutz
Flexible Integration mit umfangreichen Gehäuse- und Konfigurationsoptionen

Applikationen

KI-Rechenzentren:
- PSU
- PBU
- IBC-Stufen
- Hot-Swap- oder eFuse-Designs
Solid-State-Schutz:
- SSCB
- Elektronische Relais
- Intelligente Stromverteilungssysteme

Industrielle Leistungssysteme:
- Unterstützt Batteriemanagement
- Trennschalter
- Hochstromverteilung
Motor-Sanftanlasser und Überspannungsschutz:
- Hochspannungs-Elektronikrelais
- Motor-Sanftanlasser
- Aktive Überspannungsschutzgeräte