Infineon Technologies 750-V-HybridPACK™-Drive-Module

Die 750-V-HybridPACK™-Drive-Module von Infineon sind sehr kompakte Module, die für xEV-Hauptumrichter-Applikationen (Hybrid- und Elektrofahrzeuge, xEV) optimiert sind. Das HybridPACK-Drive wird mit mechanischen Führungselementen geliefert, die einfache Montageprozesse unterstützen. Darüber hinaus werden durch die Press-Fit-Pins für Signalanschlüsse zusätzliche zeitaufwendige selektive Lötprozesse verhindert, wodurch eine erhöhte Systemzuverlässigkeit und Kosteneinsparungen auf Systemebene ermöglicht werden.

Das FS820R08A6P2B Leitprodukt (820 A/750 V) ist ein Six-Pack-Modul, das für Umrichter mit 150 kW optimiert ist. Das Leistungsmodul implementiert die EDT2 IGBT-Chip-Generation, die ein Automotive-Mikromuster-Trench-Field-Stop-Zellendesign ist. Der Chipsatz verfügt über eine vergleichsweise niedrige Stromdichte kombiniert mit einer Kurzschlussfestigkeit und einer erhöhten Sperrspannung für einen zuverlässigen Umrichterbetrieb unter rauen Umgebungsbedingungen. Darüber hinaus zeichnen sich die EDT2 IGBTs durch ausgezeichnete Leichtlast-Leistungsverluste aus, die eine wesentliche Verbesserung des Systemwirkungsgrads über einen realen Antriebszyklus ermöglichen. Der Chipsatz ist für Schaltfrequenzen im Bereich von 10 kHz optimiert.

Das FS820R08A6P2B Leitprodukt verfügt über eine PinFin-Bodenplatte für eine optimierte direkte Flüssigkeitskühlung und erreicht damit die höchste Stromdichte. Das Wave-Produkt-Derivat (FS770R08A6P2x) bietet optimierte Kosten für die Flüssigkeitskühlung mit einer Ribbon-Bond-Struktur auf der Bodenplatte. Die flachen Bodenplatten-Optionen des FS660R08A6P2Fx ermöglichen Kosteneinsparungen, wenn Umrichter mit niedrigerer Leistung eingesetzt werden können. Der leistungsstarke FS950R08A6P2B führt die Siliziumnitrid-Keramik ein, die höhere Leistungsraten innerhalb der Produktfamilie von HybridPACK-Drive-Modulen ermöglicht.

Merkmale

  • Vergleichsweise niedrige Stromdichte und verbesserte Leichtlast-Leistungsverluste für erweiterte EV-Antriebsbereiche
  • EDT2-IGBT- und Dioden-Chipsatz von 750 V für einen Schaltbetrieb von bis zu Tvj = 175 °C
  • Extrem niedrige Leitungsverluste
  • Einstellige Streuinduktivität und ein reibungsloses, effizientes Schaltverhalten
  • Kurzschlussfestigkeit von bis zu Tvj = 175 °C für einen zuverlässigen Umrichterbetrieb unter extremen Bedingungen
  • Press-Fit-Signalpins
  • Mechanische Führungselemente für eine effiziente und kostengünstige Umrichtermontage

Applikationen

  • Fahrzeuganwendungen
  • Hybrid- und Batterie-Elektrofahrzeuge
  • Nutzfahrzeuge, Bau- und landwirtschaftliche Fahrzeuge

Typisches Erscheinungsbild

Infineon Technologies 750-V-HybridPACK™-Drive-Module

Blockdiagramme

Blockdiagramm - Infineon Technologies 750-V-HybridPACK™-Drive-Module
Veröffentlichungsdatum: 2019-12-10 | Aktualisiert: 2024-02-13