Infineon Technologies 6ED Vollbrücken-Treiber-ICs

Infineon Technologies 6ED Vollbrücken-Treiber-ICs steuern Leistungsbauteile wie MOS-Transistoren oder IGBTs in Dreiphasen-Systemen. Basierend auf der verwendeten SOI-Technologie gibt es eine hervorragende Robustheit bei transienten Spannungen. In den Bauteilen sind keine parasitären Thyristorstrukturen vorhanden. Daher kann kein parasitäres Latch-up bei allen Temperaturen und Spannungsbedingungen auftreten.

Die sechs unabhängigen Treiber werden auf der Low-Side mit CMOS-LSTTL bzw. LSTTL-kompatiblen Signale bis hinunter zu 3,3 V Logik gesteuert. Der 6ED enthält eine Unterspannungserkennungseinheit mit Hystereseeigenschaften und einer Überstromerkennung. Die Überstromstufe wird durch Auswahl des Widerstands- und Schwellenwerts am ITRIP-Pin angepasst. Beide Fehlerbedingungen (Unterspannung und Überstrom) führen zu einem eindeutigen Abschalten aller sechs Schalter. Ein Fehlersignal wird am FAULT-Open-Drain-Ausgangs-Pin zur Verfügung gestellt.

Die Blockierungszeit nach Überstrom kann mit einem RC-Netzwerk am RCIN-Pin angepasst werden. Der RCIN-Eingang besitzt eine interne Stromquelle von 2,8 µA. Daher ist der RRCIN-Widerstand optional. Der typische Ausgangsstrom kann mit 165 mA für Pull-up und 375 mA für Pull-down ausgegeben werden. Aufgrund von Systemsicherheitsgründen wurde eine Verriegelungszeit von 310 ns realisiert.

Die Funktion des Eingangs-EN-Chip-Produkts kann optional mit einer Übertemperaturerkennung durch einen externen NTC-Widerstand erweitert werden. Die monolithischen integrierten Bootstrap-Diodenstrukturen zwischen den Pins V_CC und V_Bx können für die Stromversorgung der High-Side verwendet werden.