Infineon Technologies 1.200-V-CoolSiC™-Module
Infineon Technologies 1.200-V-CoolSiC™-Module sind Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET-Module, die einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Systemflexibilität bieten. Diese Module sind mit Near-Threshold-Schaltungen (NTC) und einer PressFIT-Kontakttechnologie ausgestattet. Die CoolSiC-Module verfügen über eine hohe Stromdichte, erstklassige Schalt- und Leitungsverluste sowie ein Design mit niedriger Induktivität. Diese Module bieten einen Hochfrequenzbetrieb, eine erhöhte Leistungsdichte, eine optimierte Entwicklungszykluszeit und geringe Kosten.
Merkmale
- Hohe Stromdichte
- Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste
- Design mit niedriger Induktivität
- Niedrige Geräte-Kapazitäten
- Eine intrinsische Diode mit Sperrverzögerungsladung
- Integrierter NTC-Temperatursensor
- PressFit-Kontakttechnologie
- Hoher Wirkungsgrad für reduzierten Kühlaufwand
- Schwellwertfreie Durchlasseigenschaften
- Temperaturunabhängige Schaltverluste
- Hochfrequenzbetrieb
- Höhere Leistungsdichte
- Optimierte Entwicklungszykluszeit und geringe Kosten
- RoHS-konform
Videos
Leistungsdiagramm
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Veröffentlichungsdatum: 2019-01-07
| Aktualisiert: 2025-09-30