Infineon Technologies EiceDRIVER™ Einkanal-MOSFET-Gate-Treiber-ICs

Infineon Technologies EiceDRIVER™ Einkanal-MOSFET-Gate-Treiber-ICs sind ein wesentliches Bindeglied zwischen Steuerungs-ICs und leistungsstarken MOSFET- und GaN-Schaltern. Diese Gate-Treiber-ICs ermöglichen einen hohen Wirkungsgrad auf Systemebene, bieten eine ausgezeichnete Leistungsdichte und eine dauerhafte Systemrobustheit.

Der 1ED44176N01F EiceDRIVER von Infineon ist ein nicht invertierender 25-V-Einkanal-Low-Side-Gate-Treiber für MOSFET und IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate) mit 0,8-A-Quellen- und 1,75-A-Senkenströme in einem kleinen 8-Pin-PG-DS08-Gehäuse.

Die 1EDN751x/1EDN851x EiceDriver™ Gate-Treiber-ICs von Infineon sind schnelle, präzise und robuste Einkanal-Low-Side-4/8A-Gate-Treiber-ICs, die zur Unterstützung von Standard-MOSFETs, Hochgeschwindigkeits-Superjunction-MOSFETs sowie IGBTs und GaN-Leistungsbauteilen ausgelegt sind.

Die 1EDNx550 EiceDriver Gate-Treiber-ICs von Infineon verfügen über True Differential-Eingänge (TDI) und verhindern ein falsches Auslösen von Leistungs-MOSFETs.

Merkmale

SNT mit hohem Wirkungsgrad, das durch kurze Anstiegsraten von 5 ns aktiviert wird
±5 ns präzise Laufzeitverzögerung für schnelle MOSFET- und GaN-Schaltung
Separate Quell- und Senk-Ausgänge vereinfachen das Applikationsdesign
10 V Stabilität der Steuer- und Freigabe-Eingänge bieten einen entscheidenden Sicherheitsabstand beim Antrieb von Impulstransformatoren

5 A Ausgangssperrstrom-Stabilität beseitigt die Notwendigkeit für Schottky-Schaltdioden beim Ansteuern von MOSFETs in TO-220- und TO-247-Gehäusen
Kalte Treiber-ICs von echten Schiene-zu-Schiene-Ausgangsstufen mit niedriger Impedanz
4 V und 8 V UVLO-Optionen sorgen für einen sofortigen MOSFET-Schutz während des Anlaufs und unter anormalen Bedingungen