Diodes Incorporated MJD Medium Automobil-Leistungstransistoren

Die MJD Medium Automobil-Leistungstransistoren von Diodes Inc. sind bipolare Transistoren, die AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig sind und in IATF16949-zertifizierten Anlagen gefertigt werden. Jedes Bauelement verfügt über eine Kollektor-Emitter-Durchschlagspannung von 50 V oder 100 V (Minimum). Die MJD Medium Automobil-Leistungstransistoren von Diodes Inc. verfügen über ein TO 252-Gehäuse (DPAK) und sind ideal für Leistungsschalt- oder Verstärkungsanwendungen.

Merkmale

  • BVCEO 100 V
  • IC = bis zu 6 A Dauerkollektorstrom
  • ICM = bis zu 10 A Spitzenimpulsstrom
  • Bleifreie Ausführung; RoHS-konform
  • Halogen- und antimonfreies umweltfreundliches Bauteil

Mechanische Daten

  • TO-252 (DPAK) Gehäuse
• Gehäusematerial ist geformter Kunststoff, umweltfreundliche Formmasse mit einer UL-Entflammbarkeitsklassifizierung von 94V 0
• Feuchtigkeitsempfindlichkeit der Stufe 1 gemäß J-STD-020
• Anschlüsse sind matt verzinnt, lötbar gemäß MIL-STD-202, Methode 208
• 0,34 Gramm (ungefähres) Gewicht

Gehäuseaußenabmessungen

Technische Zeichnung - Diodes Incorporated MJD Medium Automobil-Leistungstransistoren
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Teilnummer Datenblatt Verpackung/Gehäuse Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Kollektor-Basisspannung VCBO Pd - Verlustleistung
MJD2873Q-13 MJD2873Q-13 Datenblatt TO-252-3 50 V 70 V 2.6 W
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-13 Datenblatt TO-252-3 100 V 120 V 2.6 W
MJD42CQ-13 MJD42CQ-13 Datenblatt TO-252-3 100 V 120 V 2.7 W
MJD41CQ-13 MJD41CQ-13 Datenblatt TO-252-3 100 V 120 V 2.7 W
Veröffentlichungsdatum: 2023-03-15 | Aktualisiert: 2023-03-21