Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET
Der Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET ist ein Automotive-konformer 40-V-MOSFET, der bei einem Gate-Drive von 10 V und einer Gate-Ladung von 117 nC über einen typischen RDS(ON) von 0,54 mΩ verfügt. Das DMTH4M70SPGWQ wird in einem innovativen, thermisch effizienten Hochstrom-PowerDI®-8080-5-Leistungsgehäuse angeboten und eignet sich hervorragend für Elektrofahrzeugapplikationen (EV). Der AEC-Q101-qualifizierte DMTH4M70SPGWQ MOSFET von Diodes Incorporated unterstützt Designer von Automotive-Hochleistungs-BLDC-Motorantrieben, DC/DC-Wandlern und Ladesystemen bei der Maximierung des Systemwirkungsgrads und gleichzeitiger Gewährleistung einer minimalen Verlustleistung. Das Bauteil bietet eine Betriebstemperatur von bis zu +175 °C.
Merkmale
- Für Temperaturen bis +175 °C eingestuft und damit ideal für Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen
- 100 % ungeklemmte induktive Schaltung (UIS), Test bei der Fertigung – gewährleistet eine zuverlässige und robuste Endanwendung
- Hoher Wirkungsgrad bei der Umwandlung
- Niedriger RDS(ON), reduziert die Stromverluste
- Benetzbare Flanke für eine verbesserte optische Inspektion
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Niedrige Eingangskapazität
- Bleifreie Ausführung, RoHS-konform
- Bleifreies, halogenfreies und antimonfreies umweltfreundliches Bauteil
- Geeignet für Fahrzeuganwendungen, die eine spezifische Änderungssteuerung erfordern
- AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig und wird in IATF 16949 zertifizierten Anlagen hergestellt
Applikationen
- Motorsteuerungssysteme
- Karosseriesteuerelektronik
- DC/DC-Wandler
Gehäuseausführung
Videos
Veröffentlichungsdatum: 2022-06-02
| Aktualisiert: 2022-11-30