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Diodes Incorporated DMP21D0UFB 20 V p-Kanal-E-MOSFET

Der DMP21D0UFB 20 V p-Kanal-E-Modus-MOSFET von Diodes Incorporated ist ideal für Applikationen im Bereich Strommanagement. Konzipiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) bei erstklassiger Schaltleistung.Dieser MOSFET verfügt über eine niedrige Gate-Schwellwertspannung, schnelle Schaltgeschwindigkeit und ein 3 kV ESD-geschütztes Gatter. Der DMP21D0UFB MOSFET ist in einem Gehäuse aus geformten Kunststoff mit grüner Formkomponente erhältlich.L-Entflammbarkeitsstufe: 94V-0 und MSL Stufe 1 gemäß J-STD-020D. Dieser MOSFET bietet Anschlüsse mit NiPdAu über den Kupferleiterrahmen, lötbar gemäß MIL-STD-202 (Methode 208).

Merkmale

  • Footprint of 0.6mm2-13 ties smaller than SOT23
  • Low gate threshold voltage
  • Fast switching speed
  • Lead, Halogen, and Antimony free Green device
  • RoHS compliant
  • 3KV ESD protected gate
  • Qualified to AEC-Q101 standard for high reliability

Applikationen

  • Portable electronics

DMP21DOVFB Product Views

Diodes Incorporated DMP21D0UFB 20 V p-Kanal-E-MOSFET
Veröffentlichungsdatum: 2017-05-15 | Aktualisiert: 2022-03-11