Diodes Incorporated DMT2004UF n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs

Der Diodes Incorporated DMT2004UF MOSFET ist ein 24V-n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET, der mit einem Profil von 0,6 mm und einem Footprint von 4 mm² ausgelegt ist. Der DMT2004UF MOSFET reduziert den Einschaltwiderstand, während gleichzeitig eine ausgezeichnete Schaltleistung aufrechterhalten wird. Außerdem ist der DMT2004UF gemäß den AEC-Q101-Standards für hohe Zuverlässigkeit qualifiziert. Der DMT2004UF MOSFET bietet einen Einschaltwiderstand von 4,8 bis 12,5 mΩ, eine Gate-Schwellspannung von 0,55 bis 1,45 V, einen kontinuierlichen Drainstrom von 11,2 bis 14,1 A und eine Verlustleistung von 12,5 W. Die Schaltleistung umfasst eine Ausschalt-Abfallzeit von 38,6 ns, eine Einschalt-Anlaufzeit von 9,6 ns, eine typische Ausschaltverzögerungszeit von 30,8 ns, eine typische Einschaltverzögerungszeit von 3,9 ns und eine Sperrverzögerung von 11,2 ns. Durch seine Bauweise eignet sich der DMT2004UF 24V-n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET hervorragend für Energiemanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.