Diodes Incorporated DMN3027x n-Kanal-MOSFETs
Die DMN3027x N-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs von Diodes Incorporated sind zur Minimierung des Durchlasswiderstands RDS(ON) bei gleichzeitiger erstklassiger Schaltleistung ausgelegt. Dieser MOSFET arbeitet bei einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C. Diese DMN3027x MOSFETs sind ideal für Hochleistungs-Applikationen im Energiemanagement.
Merkmale
- Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized
- Small form factor and thermally efficient package enables higher density end products
- Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling smaller end product
- 100% UIS avalanche rated and 100% Rg tested
- RoHS compliant qualified to AEC-Q101 standards
- Halogen and antimony free
- Green device
Applikationen
- Backlighting
- DC-DC converters
- Power management functions
Veröffentlichungsdatum: 2017-03-21
| Aktualisiert: 2022-03-11