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Cree Z-FET™ 1200V Silicon Carbide Power MOSFETs

Die Cree C2M Familie von Leistungs-MOSFETs aus Siliziumcarbid

Die Cree C2M Familie von Leistungs-MOSFETs aus Siliziumcarbid geben Ingenieuren die Möglichkeit, Silizium-Transistoren (IGBTs) zu ersetzen und Hochspannungsschaltungen mit extrem schnellen Schaltgeschwindigkeiten und ultraniedrigen Schaltverlusten zu entwickeln. Konstruktionsingenieure haben jetzt Gelegenheit, die Cree Z-FET 1200V SiC-MOSFET und Z-Rec® SiC Schottky-Dioden von Cree zu einem reinen SiC-System zu kombinieren, um eine Energieeffizienz, Größe und Gewichtsreduzierung zu erreichen, die mit herkömmlichen Silizium-Bausteinen mit ähnlichen Werten nicht möglich sind. Die neue C2M MOSFET-Familie basiert auf Crees robuster und zuverlässiger Gen2 SiC-Technologie-Plattform und bietet die niedrigsten Schaltverluste ihrer Klasse plus wesentlich höhere Schaltfrequenzen, und sie liefert einen erstklassigen Wirkungsgrad. Dieses revolutionäre Produkt reduziert außerdem die Größe der magnetischen und Filter-Komponenten und die Kühlanforderungen.


Merkmale
  • Hohe Blockierspannung mit branchenführendem RDS(on)
  • Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität
  • Einfaches Parallelschalt
  • Höherer Systemwirkungsgrad
  • Reduzierte Kühlanforderungen
  • Höhere Systemschaltfrequenzen
  • Widerstandsfähig gegen Lawinen
  • Widerstandsfähig gegen Latch-Up
  • Bleifreie Beschichtung
  • RoHS und REACH konform
  • Halogenfrei

Anwendungsbereiche
  • Solar-Wechselrichter
  • Hochspannungs-DC/DC-Wandler
  • Motorantriebe
  • Schaltmodus-Stromversorgung
  • USV

Part NumberPackage / CaseVds - Drain-Source Breakdown VoltageId - Continuous Drain CurrentRds On - Drain-Source ResistanceQg - Gate ChargePd - Power DissipationData Sheet








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Veröffentlichungsdatum: 0001-01-01 | Aktualisiert: 0001-01-01