Analog Devices Inc. ADRF5545A HF-Frontend-Multichip-Modul
Das Analog Devices ADRF5545A Zweikanal-HF-Frontend-Multichip-Modul ist für Time-Division-Duplexing(TDD)-Applikationen ausgelegt, die von 2,4 GHz bis 4,2 GHz betrieben werden. Das ADRF5545A ist in zwei Kanälen mit einem kaskadierenden rauscharmen Zweiphasen-Verstärker (LNA) und einem SPDT-Hochleistungs-Siliziumschalter (Single-Pole-Double-Throw, SPDT) konfiguriert.
Im hohen Gain-Modus bieten der kaskadierte Zweiphasen-LNA und der Schalter einen niedrigen Rauschfaktor (NF) von 1,45 dB und eine hohe Gain von 32 dB bei 3,6 GHz mit einem Ausgangsschnittpunkt der dritten Ordnung (OIP3) von 32 dBm (typisch). Im niedrigen Gain-Modus befindet sich eine Phase des Zweiphasen-LNA im Bypass und bietet eine Gain von 16 db bei einem niedrigeren Strom von 36 mA. Im Abschaltmodus sind die LNAs abgeschaltet und das Bauteil nimmt 12 A auf.
In Sendebetrieb, wenn die HF-Eingänge mit einem Anschlusspin (TERM-ChA oder TERM-ChB) verbunden sind, bietet der Schalter eine geringe Einfügungsdämpfung von 0,65 dB. Das Bauteil verarbeitet eine durchschnittliche LTE-Leistung (Long-Term Evolution, LTE) von 40 dBm (9 dB Spitze-zu-Durchschnittsverhältnis, PAR) für einen Betrieb über die gesamte Lebensdauer und 43 dBm für einen LNA-Schutzbetrieb eines einzelnen Ereignisses (<10 Sek.).
Merkmale
- Integriertes Zweikanal-HF-Frontend
- Zweiphasen-LNA und SPDT-Hochleistungsschalter
- On-Chip-Vorspannung und -Anpassung
- Einfachversorgungsbetrieb
- Gain
- Hoher Gain-Modus: 32 dB bei 3,6 GHz (typisch)
- Niedriger Gain-Modus: 16 dB bei 3,6 GHz (typisch)
- Niedriger Rauschfaktor
- Hoher Gain-Modus: 1,45 dB bei 3,6 GHz (typisch)
- Niedriger Gain-Modus: 1,45 dB bei 3,6 GHz (typisch)
- Hohe Isolierung
- RXOUT-CHA und RXOUT-CHB: 47 dB (typisch)
- TERM-CHA und TERM-CHB: 52 dB (typisch)
- Geringe Einfügungsdämpfung: 0,65 dB bei 3,6 GHz
- Hohe Belastbarkeit bei TCASE = 105 °C
- Gesamte Lebensdauer
- LTE-Durchschnittsleistung (9 dB PAR): 40 dBm
- Ein einzelnes Ereignis (< 10-Sek.-Betrieb)
- LTE-Durchschnittsleistung (9 dB PAR): 43 dBm
- Gesamte Lebensdauer
- Hoher OIP3: 32 dBm (typisch)
- Abschaltmodus und niedriger Gain-Modus für LNA
- Niedriger Versorgungsstrom
- Hoher Gain-Modus: 86 mA bei 5 V (typisch)
- Niedriger Gain-Modus: 36 mA bei 5 V (typisch)
- Abschaltmodus: 12 mA bei 5 V (typisch)
- Positive Logiksteuerung
- 40-Pin-LFCSP-Gehäuse von 6 mm × 6 mm
Applikationen
- Drahtlose Infrastruktur
- TDD-Massiv-Mehrfacheingang und -Mehrfachausgang und aktive Antennensysteme
- TDD-basierte Kommunikationssysteme
Funktionales Blockdiagramm
Technische Artikel
- 5G Technology Devices for an O-RAN Wireless Solution
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Dazugehöriges Development Tool
Analog Devices Inc. ADRF5545A-EVALZ Evaluierungsboard
Zur Unterstützung der Evaluierung der Funktionen und des Betriebsverhaltens des ADRF5545A integrierten HF-Frontends ausgelegt.
Associated Products
Analog Devices Inc. ADRF5515 Empfänger-Frontend
Ein integriertes Zweikanal-HF-Frontend-Multichip-Modul, das für TDD-Applikationen ausgelegt ist.