Analog Devices Inc. ADL8124 Integrierte rauscharme Verstärker (LNAs)

Analog Devices ADL8124 Integrierte rauscharme Verstärker (LNAs) sind leistungsstarke Zweikanal-LNAs, die für Applikationen im Frequenzbereich von 1 GHz bis 20 GHz optimiert sind. Der ADL8124 von Analog Devices wurde unter Verwendung der fortschrittlichen GaAs-pHEMT- Technologie entwickelt und bietet über eine große Bandbreite einen niedrigen Rauschfaktor von2,1 dB (typisch) und eine Gain von 15 dB (typisch). Dadurch eignen sich diese LNAs ideal für anspruchsvolle HF- und Mikrowellensysteme wie Testanlagen, Radar- und Kommunikationssysteme.

Der Verstärker wird mit einer Einzelversorgung von 3,3 V betrieben (5 V wird ebenfalls unterstützt) und verfügt über eine integrierte Vorspannungsschaltung, einen Temperatursensor und eine Aktivierungs-/Deaktivierungsfunktion. Diese Funktionen vereinfachen das Systemdesign und reduzieren die Anforderungen an externe Bauteile. Der ADL8124 ist für einen erweiterten Temperaturbereich von -55 °C bis +125 °C spezifiziert und in einem kompakten 8-Pin-LFCSP-Gehäuse von 2 mm x 2 mm erhältlich. Der ADL8124 bietet eine hervorragende Linearität, eineBreitbandleistung und einen kleinen Footprint, der für platzbeschränkte Designs geeignet ist.

Merkmale

Positive Einzelversorgung von 3,3 V, 5 V wird ebenfalls unterstützt
Einstellbarer Drainstrom (I_DQ): 55 mA
RBIAS-Drainstrom-Einstellungspin
Integrierter Temperatursensor
Integrierte Aktivierungs- und Deaktivierungsfunktion
Typische Gain von 15 dB von 10 GHz bis 17 GHz
Typische Ausgangsleistung von 15 dBm für 1-dB-Kompression (OP1dB) von 10 GHz bis 17 GHz
OIP2 (Ausgangs-Intercept-Punkt zweiter Ordnung) von 43 dBm von 10 GHz bis 17 GHz (typisch)
OIP3 (Ausgangs-Intercept-Punkt dritter Ordnung) von 29 dBm von 10 GHz bis 17 GHz (typisch)
Typischer Rauschfaktor von 2,1 dB von 10 GHz bis 17 GHz

Maximale Überlebensfähigkeit bei HF-Eingangsleistung (RF_IN): 28 dBm
Maximale Dauerleistungsdissipation von 0,9 W bei +85 °C, 0,46 W bei +125 °C
Hergestellt auf Basis eines Galliumarsenid(GaAs)-Pseudomorphic-High-Electron-Mobility-Transistor(pHEMT)-Verfahren
Thermischer Widerstandsbereich: 86,1 °C/W bis 108,5 °C/W
Klasse 1B ESD-Bewertung, ±500 V Human Body Model (HBM) gemäß ANSI/ESDA/JEDEC JS-001
Erweiterter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +125 °C
8-Pin-LFCSP-Gehäuse von 2 mm × 2 mm
RoHS-konform