ams OSRAM IR SYNIOS® P2720 SFH 4795BS Hochleistungs-LEDs
Die IR SYNIOS® P2720 SFH 4795BS Hochleistungs-LEDs von ams OSRAM sind für eine hocheffiziente Infrarotbeleuchtung mit einem tatsächlichen Beleuchtungswinkel von 60° und einem transparenten Silikongehäuse mit niedriger Bauhöhe ausgelegt. Diese LEDs verfügen über die IR:6-Dünnschicht-Chip-Technologie und bieten einen robusten ESD-Schutz von 2 kV und einen erstklassigen niedrigen thermischen Widerstand, wodurch sie sich hervorragend für den DC-Betrieb mit hoher Helligkeit eignen. Mit Schwerpunktwellenlängenoptionen von 920 nm und 940 nm bieten diese LEDs einen Ausgleich zwischen höherer Kameraempfindlichkeit und reduziertem rotes Leuchten.
Die LEDs von ams OSRAM sind für Applikationen wie Zugangskontrolle, Sicherheit, Authentifizierung, Augen-/Gesichtsverfolgung, Fabrikautomatisierung und medizinische Beleuchtung optimiert. Die Bauteile verfügen über einen maximalen Durchlassstrom von 1.500 mA, einen maximalen gepulsten Durchlassstrom von 3 A und einen typischen Strahlungsfluss von insgesamt 1.560mW. Das QFN-Gehäuse mit Abmessungen von 2.0 mm x 2,75 mm x 2,1 mm gewährleistet eine einfache Integration und Designflexibilität für kamerabasierte Applikationen, während gleichzeitig der Energieverbrauch und die Wärmeerzeugung für eine lange Batterielaufzeit und zuverlässige Leistung reduziert werden.
Merkmale
- Echtes 60°-Beleuchtungsfeld kombiniert mit niedriger Produkthöhe
- Klares Silikongehäuse
- IR: Sechs-Dünnschicht-Chip-Technologie
- ESD-Schutz von 2 kV gemäß ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Klasse 2)
- IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad
- Erstklassiger niedriger thermischer Widerstand
- Doppelstapel-Emitter
- Optimiert für DC-Betrieb mit hoher Helligkeit
- Helle Beleuchtung der Zielfläche
- Genaue Systemanalyse
- Reduzierter Energieverbrauch
- Schwerpunktwellenlängenoptionen
- 920 nm für einen perfekten Kompromiss von höherer Kameraempfindlichkeit und rotem Leuchten für das menschliche Auge
- 940 nm für reduziertes rotes Leuchten
- Lange Batterielaufzeit
- Reduzierte Wärmemenge
- Alles intern – vom Chip bis zum Gehäuse
- Sehr robust
- Keine Notwendigkeit für sekundäre Optik
- Einfache Integration
- Einfaches Design für kamerabasierte Applikationen
Applikationen
- Zugangskontrolle und Sicherheit
- Authentifizierung
- Augen-, Gesichts- und Handverfolgung
- Fabrikautomatisierung
- Haus- und Gebäudeautomatisierung
- Medizinische Beleuchtung
- Biometrie
- Robotik und maschinelles Sehen
Technische Daten
- 1.500 mAA maximaler Durchlassstrom
- Maximaler gepulster Durchlassstrom: 3 A
- 5 V Maximale Sperrspannung
- Typische spektrale Bandbreite: 37 nm
- Typischer Strahlungshalbwinkel von 30 °, 60 ° voll
- Maximale Durchlassspannung von 3,1 V, typisch 2,7 V
- Maximaler Rückstrom von 10 μA, 0,01 μA typisch
- Typischer Gesamt-Strahlungsfluss: 1.560 mW
- Thermischer Widerstand: 2,3 K/W
- -40 °C bis +105 °C Betriebstemperaturbereich
- +145 °C maximale Sperrschichttemperatur
- QFN-Gehäuse, Größe 2,0 mm x 2,75 mm x 2,1 mm, Dünnschicht
Abmessungen
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