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Amphenol NexLev®
Platine-an-Platine Steckverbinder

Parallele Platine-an-Platine Steckverbinder mit hohe Dichte

Die Amphenol TCS' NeXLev® Produktlinie verfügt über parallele Platine-an-Platine Steckverbinder mit hoher Dichte, die mit Datenraten von bis zu 12,5 Gbps umgehen können. Die NeXLev wurden entwickelt, um den wachsenden Anforderungen an die Bandweite von Mezzanineanwendungen nachzukommen und ermöglichen Ingenieuren, Geräte mit einer höheren Kontaktanzahl an einer anderen Stelle auf einer Mezzanine- oder Modulkarte unterzubringen, um das Leiterplattenrouting zu vereinfachen und die Leistungsfähigkeit des Systems zu optimieren. Die robuste, gegen Beschädigung resistente Konstruktion der Amphenol TCS NeXLev parallelen Platine-an-Platine Steckverbinder mit hoher Dichte haben bis zu 57 reelle Signale pro linearem Zentimeter (145 Signale pro linearem Zoll), eine Kugelgitteranordnung (Ball Grid Array (BGA)) zur Angleichung, eine mit der BGAkonformen Befestigung zur Steigerung des SMT-Prozesses und eine widerstandsfähige Waferkonstruktion. Die Wafer können zur Unterstützung von einendigen oder differenzial-gepaarten Architekturen geroutet werden.

Amphenol TCS NeXLev® Parallele Platine-an-Platine Steckverbinder mit hoher Dichte



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Merkmale
  • Datensätze bis zu 12,5 Gbps
  • Widerstandsfähige Waferkonstruktion
  • Verbesserter BGA-Befestigungsprozess zur Erhöhung der SMT-Prozesseffizienz
  • Bandbreite an Stapelhöhen von 10mm-33mm
  • RoHS-konform
  • Bis zu 57 reelle Signale pro linearem Zentimeter (145 Signale pro linearem Zoll)
  • Der Strom kann durch den Signalkontakt und die Abschirmseite des Wafers fließen.
Amphenol TCS NexLev Konformität

Elektrische Spezifikationen
  • Kontakt mit geringem Widerstand: 20 Milliohms Maximum
  • Dielektrische Widerstandsspannung: 600 Megohms bei Betrieb
  • Isolierwiderstand: 600 Megohms bei Betrieb
  • Strombelastbarkeit des Signalkontakts: 1,0 A im fortlaufenden Betrieb
  • Strombelastbarkeit des Abschirmkontakts: 1,0 A im fortlaufenden Betrieb
  • Zielvorgaben Signalintegrität: <5% Übersprechen, <5% Vr @ 250 Picosekunden Tr, einendig <5% Übersprechen, <5% Vr @ 150 Picosekunden Tr, differenzial

Mechanische Spezifikationen
  • Wischung: 1,0mm Minimum
  • Kontakt normale Stärke: 0,35N (35 Gramm) Minimum
  • Kontakt Verbindungsstärke: 0,45N pro Signal. (300 I/O Module = 135N) (ungefähr 30 lb.)
  • Lebensdauer: Minimum 100 Zyklen

Physische Spezifikationen
  • Isolatoren: Glasfaserverstärktes Polyester (Flüssig-kristallines Polymer). UL 94V-0; Farbe schwarz oder grau
  • Signalkontakte: 0,15mm-dicke Kupferlegierung gemäß CDA 17110.
  • Kugelgitteranschlüsse: 0,75mm Durchmesser Eutektikum 63/37 Sn-Pb.

Einendig

In der einendigen Konfiguration bietet NeXLev bis zu 57 verwendbare Signale pro linearem Zentimeter (145 pro linearem Zoll). In dieser Konfiguration kann NeXLev auf bis zu 200 Picosekunden (20-80%) mit weniger als 5% Übersprechen und weniger als 5% Reflexion über die gesamte Höhe von 10-33mm betrieben werden. Die Signalqualität kann mit zusätzlicher Erdung von Signalkontakten weiter verbessert werden.

  • Weniger als 3% Übersprechen bei mehreren Aderpaaren bei einer Anstiegszeit von 100 Picosekunden (20-80%) kann erreicht werden, wenn eine 1:1 gestaffelte Erdung der Signale genutzt wird. Dadurch kann die effektive Dichte der Steckverbindung auf 28,5 Signale pro linearem Zentimeter (73 Signale pro linearem Zoll) geändert werden.
  • Weniger als 2% Übersprechen kann bei mehreren Aderpaaren bei einer Anstiegszeit von 100 Picosekunden (20-80%) erreicht werden, wenn eine 1:1 gestaffelte Erdung der Signale genutzt wird. Dadurch kann die effektive Dichte der Steckverbindung auf 23 Signale pro linearem Zentimeter (58 Signale pro linearem Zoll) geändert werden.

Differenzial

In der differenzialen Konfiguration bietet NeXLev bis zu 29 reelle Signalpaare pro linearem Zentimeter (73 Paare pro linearem Zoll). In dieser Konfiguration kann NeXLev auf bis zu 100 Picosekunden (20-80%) mit weniger als 5% Übersprechen und 5% Reflexion über die ganze Bandbreite der Stapelhöhen betrieben werden.

  • Indem die Erdungsmuster der drei Differenzialpaare pro Wafer (G-S-S-G-S-S-G-S-S-G) modifiziert werden, kann eine verbesserte Leistung bei einer Anstiegszeit von 50 Pikosekunden (20-80%) mit weniger als 6% Übersprechen bei mehreren Aderpaaren erreicht werden. Dies ändert die effektive Dichte des Steckverbinders zu 17 Paaren pro Zentimeter (44 Paare pro Zoll).






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Veröffentlichungsdatum: 2011-12-06 | Aktualisiert: 2022-03-11