Infineon Technologies BGA524N6 Rauscharme Silizium-Germanium-Verstärker

Der rauscharme Silizium-Germanium- Verstärker (LNA) BGA524N6 von Infineon Technologies für globale Navigationssatellitensysteme (GNSS) wird mit einer Versorgungsspannung von 1,5 V bis 3,3 V betrieben. Der Verstärker BGA524N6 verfügt über eine Gain von 19,6 dB und einen Rauschfaktor von 0,55 dB bei einem Stromverbrauch von 2,5 mA. Das Bauteil BGA524N6 LNA ist basiert auf der Silizium-Germanium-Technologie B7HF von Infineon. Der rauscharme Silizium-Germanium- Verstärker BGA524N6 von Infineon ist hervorragend geeignet für alle globalen Navigationssatellitensysteme (GNSS) wie GPS, GLONASS, Beidou, Galileo und andere.

Merkmale

  • Leistungsverstärkung bei Einspeisung: 19,6 dB
  • -4 dBm Out-of-Band -Eingang, dritter Order Intercept-Punkt
  • -12 dBm Eingang, 1 dB Kompressionspunkt
  • 0,55 dB niedriges Rauschmaß
  • Sehr geringe Stromaufnahme: 2,5 mA
  • 1550 MHz bis 1615 MHz Betriebsfrequenzen
  • Versorgungsspannung: 1,5 V bis 3,3 V
  • Digitaler Ein-/Ausschalter (1 V logischer High-Pegel)
  • Ultrakompaktes TSNP-6-2-Gehäuse ohne Anschlussdrähte (Footprint: 0,7 mm2 x 1,1 mm2)
  • B7HF Silizium-Germanium-Technologie
  • HF-Ausgang intern an 50 Ω angepasst
  • Es ist nur 1 externes SMD-Bauelement erforderlich
  • 2 kV HBM ESD-Schutz (einschließlich AI-Pin)
  • Bleifrei und RoHS-konform

Applikationen

  • Ideal für alle globalen Navigationssatellitensysteme (GNSS)
    • GPS
    • GLONASS
    • Beidou
    • Galileo

Technische Daten

  • 1550 MHz bis 1615 MHz Frequenz
  • 19,6 dB Gain
  • 2,5 mA ICC
  • -5 dBm IIP3
  • 0,55 dB NF
  • -12 P-1 dB (in)

Blockdiagramm

Blockdiagramm - Infineon Technologies BGA524N6 Rauscharme Silizium-Germanium-Verstärker

Applikations-Schaltschema

Applikations-Schaltungsdiagramm - Infineon Technologies BGA524N6 Rauscharme Silizium-Germanium-Verstärker
Veröffentlichungsdatum: 2023-04-06 | Aktualisiert: 2025-07-23