DRAM

 DRAM
DRAM von branchenführenden Herstellern sind bei Mouser Electronics erhältlich. Mouser ist ein autorisierter Distributor für viele verschiedene Hersteller von DRAM einschließlich Alliance Memory, ISSI, & Lattice. Sehen Sie unten unsere große Auswahl an DRAM.
Ergebnisse: 2 454
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Typ Speichergröße Datenbus-Weite Maximale Taktfrequenz Verpackung/Gehäuse Organisation Zugangszeit Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
Infineon Technologies S70KL1282GABHB033
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KL1282GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283DPBHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

Tray
Infineon Technologies S70KL1283DPBHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283DPBHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283DPBHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz 16 M x 8 36 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S70KL1283GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

Tray
Infineon Technologies S70KL1283GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KL1283GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

Tray
Infineon Technologies S70KS1282GABHB033
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KS1282GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KS1282GABHB030
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies S70KS1282GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KS1283GABHB023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
Infineon Technologies S70KS1283GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

Tray
Infineon Technologies S70KS1283GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 380
Mult.: 3 380

Tray
Infineon Technologies S70KS1283GABHV023
Infineon Technologies DRAM SPCM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

Reel
AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-15 16 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
AP Memory NRE-TI-RDL- APS6404L-SQHXRQ
AP Memory DRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Bulk
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

PSRAM (Pseudo SRAM) 32 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 4 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C AS4C128M16D2A-25 Reel, Cut Tape, MouseReel