45 Induktivitäten, Drosseln & Spulen

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Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
Mult.: 2 000
: 2 000

1 uH 10 % 320 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
Mult.: 2 000
: 2 000

1.2 uH 2 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
Mult.: 2 000
: 2 000

1.2 uH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
Mult.: 2 000
: 2 000

1.2 uH 10 % 300 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
Mult.: 2 000
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330 nH 2 % 590 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
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330 nH 5 % 590 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
Mult.: 2 000
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330 nH 10 % 590 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
Mult.: 2 000
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390 nH 2 % 530 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
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390 nH 5 % 530 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
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390 nH 10 % 530 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
Mult.: 2 000
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470 nH 2 % 490 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
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470 nH 5 % 490 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
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470 nH 10 % 490 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
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560 nH 2 % 460 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
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560 nH 5 % 460 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
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560 nH 10 % 460 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
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620 nH 2 % 460 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
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Min.: 22 000
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620 nH 5 % 460 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
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620 nH 10 % 460 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
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680 nH 2 % 430 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
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680 nH 5 % 430 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
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680 nH 10 % 430 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
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750 nH 2 % 320 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
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750 nH 5 % 320 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
Mult.: 2 000
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750 nH 10 % 320 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200