Tray DRAM

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Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
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Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Datenblatt
8Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Datenblatt
59Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Datenblatt
28Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Datenblatt
96Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM
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54Auf Lager
Min.: 1
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SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Datenblatt
6 449Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Industrial
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210Auf Bestellung
Min.: 1
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SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.333 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 512Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
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240erwartet ab 26.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 512 M x 16 600 mV 1.95 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4,8Gb,256Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V,FBGA-200,-40C to +85C
Datenblatt
136erwartet ab 06.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

LPDDR4 Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
Datenblatt
455erwartet ab 18.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM6416SD Tray
Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Commercial Temp - Tray
Datenblatt
3 243erwartet ab 21.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C AS4C128M16D2A-25 Tray
Winbond W958S6NBJX4I
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V
490erwartet ab 19.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W958S8NBPA4I
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480erwartet ab 19.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W958S8NMPA4I
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480erwartet ab 19.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W959S6NBJX4I
Winbond DRAM 512Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V
490erwartet ab 19.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 512 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W959S8NMPA4I
Winbond DRAM 512Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480erwartet ab 19.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

HyperRAM 512 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S27KL0642GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
1 352Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
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26 972erwartet ab 22.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160G Tray
Zentel Japan DRAM DDR4 4Gb, 256Mx16, 3200 CL22, 1.2V, FBGA-96
Datenblatt
1 930erwartet ab 19.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 3.2 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C DDR4 Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
Datenblatt
18 096Auf Bestellung
Min.: 1
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SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160J Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT
Datenblatt
3 050Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
3 456Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
17 132Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Tray
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM
Datenblatt
2 258Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16640B Tray
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT
Datenblatt
6 732Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C IS43QR16256B Tray