512 Mbit Speicher-ICs

Ergebnisse: 952
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Infineon Technologies S29GL512T10FAI013
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 600
Mult.: 1 600
: 1 600
Nein
NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T10FAI023
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 600
Mult.: 1 600
: 1 600
Nein
NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV10
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV20
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 800
Mult.: 1 800
Nein
NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV13
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 600
Mult.: 1 600
: 1 600
Nein
NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV23
Infineon Technologies NOR-Flash Nor Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1 600
Mult.: 1 600
: 1 600
Nein
NOR Flash 512 Mbit
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, 105C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000

DRAM SMD/SMT FPGA-84 512 Mbit
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000

DRAM SMD/SMT FPGA-84 512 Mbit
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 1066 at CL7, 1.8V, FBGA-84 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000

DRAM SMD/SMT FPGA-84 512 Mbit
Zentel Japan DRAM DDR1 512Mb, 32Mx16, 200MHz at CL3, 2.5V, TSOPII-66 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 512 Mbit
Zentel Japan DRAM DDR1 512Mb, 32Mx16, 200MHz at CL3, 2.5V, TSOPII-66, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 080
Mult.: 1 080

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 512 Mbit

ISSI NOR-Flash 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin. T&R, Auto Grade, new die Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit