CoolSiC™ 750 V-G1-SiC-Trench-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G1 SiC Trench MOSFETs helfen EV-Herstellern, 11 kW und 22 kW bidirektionale Onboard -Ladegeräte mit erhöhtem Wirkungsgrad, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit zu entwickeln. Diese Bauteile arbeiten zuverlässig bei hohen Temperaturen (Tj,max +175 °C) und sind Infineon proprietär. XT Plättchen Größe - Technologie für erstklassige thermische Impedanz bei gleicher Plättchengröße.

Ergebnisse: 4
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Datenblatt
271Auf Lager
€ 20,61
€ 12,86
€ 12,40
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 89 A 22 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 81 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Datenblatt
240erwartet ab 13.05.2027
€ 15,46
€ 11,45
€ 8,51
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 60 A 36 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Datenblatt
Vorlaufzeit 52 Wochen
€ 19,54
€ 13,72
€ 10,88
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 75 A 27 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 67 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
Datenblatt
Vorlaufzeit 52 Wochen
€ 9,89
€ 6,57
€ 6,10
€ 5,69
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 44 A 52 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement