1.200-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-MOSFETs

Die 1200-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-MOSFETs von onsemi   verfügen über eine völlig neue Technologie und bieten im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und hohe Zuverlässigkeit. Diese MOSFETs bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand, der eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Die 1200-V-EliteSiC-MOSFETs bieten Systemvorteile und umfassen einen hohen Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Diese MOSFETs verfügen über eine Sperrspannung, eine Hochgeschwindigkeits-Schaltung und eine niedrige Kapazität und werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis 175°C betrieben. Die 1200-V-SiC-MOSFETs sind für Fahrzeuganwendungen AEC-Q101-qualifiziert und RoHs-konform. Diese MOSFETs eignen sich für verstärkende Wechselrichter, Ladestationen, DC/DC-Wechselrichter, DC/DC-Wandler, On-Board-Ladegeräte (OBC), Motorsteuerung, industrielle und Server-Netzteile.

Ergebnisse: 26
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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
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947Auf Lager
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: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs 20MW 1200V
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893Auf Lager
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Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
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1 387Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
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Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
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: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
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1 185Auf Lager
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Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
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1 830Auf Lager
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: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
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1 853Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
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660Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
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1 182Auf Lager
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Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
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282Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
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224Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
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205Auf Lager
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Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
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181Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS 20MW 1200V
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2 163Auf Lager
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: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
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456Auf Lager
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: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
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187Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs 20MW 1200V
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310Auf Lager
450erwartet ab 14.09.2026
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Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
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757Auf Lager
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Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
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84Auf Lager
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: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
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333Auf Lager
1 600Auf Bestellung
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Max.: 800
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
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183Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
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: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
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450erwartet ab 09.10.2026
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Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 450
Mult.: 450

Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 10 V, + 19 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC