SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 7-Pin-SiC-Trench-Typ-MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 7-Pin-SiC-Trench-MOSFETs nutzen einen proprietären Trench-Gate-Aufbau, der den Einschaltwiderstand um 50 % und die Eingangskapazität um 35 % im Vergleich zu Planar-SiC-MOSFETs reduziert. Die MOSFETs enthalten einen zusätzlichen Pin, der die Treiber- und Stromwuellen-Pins trennt, wodurch die Auswirkungen der Induktivitätskomponente bei der Reduzierung von Vgs eliminiert und schnellere Schaltgeschwindigkeiten gewährleistet werden. Die Trench-Typ-MOSFETs von ROHM Semiconductor verfügen über einen hohen Spannungswiderstand, einen niedrigen Einschaltwiderstand, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, einen einfachen Antrieb und eine einfache Parallelschaltung.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40m 3rd Gen TO-263-7L
Datenblatt
496Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 120m 3rd Gen TO-263-7L
Datenblatt
2 763Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 650V 70A N-CH SIC
Datenblatt
978Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-263-7L
Datenblatt
1 757Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L
Datenblatt
1 718Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-263-7L
Datenblatt
855Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 29 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-263-7L
Datenblatt
766Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 23 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 30A N-CH SIC
Datenblatt
369Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC + 175 C 159 W Enhancement