U-MOSVIII MOSFETs

Toshiba U-MOSVIII MOSFETs combine low on-resistance and a low leakage current in a thin 3.3mm x 3.3mm x 0.9mm TSON Advance package. U-MOSVIII current ratings range from 43A to 100A, RDS(ON) (typical) from 3.5mΩ to 5.2mΩ, with an input capacitance from 1370pF to 2230pF (typical).

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Toshiba MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V
Datenblatt
12 731Auf Lager
Cut-Tape
€ 1,26
€ 0,593
€ 0,526
€ 0,434
Reel
€ 0,434
€ 0,31
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 30 V 45 A 1.8 mOhms 20 V 2.3 V 34 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Reel
€ 0,234
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000
Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 53 A 35 mOhms 20 V 2.3 V 24 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement U-MOSVIII Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Cut-Tape
€ 0,989
€ 0,457
€ 0,398
€ 0,312
Reel
€ 0,23
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MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 30 V 43 A 5.2 mOhms 20 V 2.3 V 24 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement U-MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel