SiC8x Integrierte DrMOS-Leistungsstufe

Die SiC8x integrierte DrMOS-Leistungsstufe von Vishay Siliconix ist für synchrone Abwärtswandler-Applikationen für einen höheren Strom, einen höheren Wirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte ausgelegt. Siliziumkarbid-(SiC)-Leistungsstufen ermöglichen Spannungsregler-Designs für die Lieferung von Dauerstrom pro Phase. Die SiC8x ermöglicht einen Strom pro Phase von bis zu 80 A. Die internen Leistungs-MOSFETs nutzen die TrenchFET®-Gen-IV-Technologie, die eine branchenführende Leistung zur Reduzierung der Schalt- und Leistungsverluste bietet. Das SiC8x Treiber- und MOSFET-Modul (DrMOS) von Siliconix enthält einen erweiterten MOSFET-Gate-Treiber-IC, der über hohe Ansteuerungsströme, eine adaptive Totzeitsteuerung, einen integrierten Bootstrap-Schalter und eine thermische Überwachung verfügt, die das System vor überhöhter Sperrschichttemperatur warnt.