AEC-Q101-qualifizierte Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba AEC-Q101-qualifizierten Automotive-Leistungs-MOSFETs sind ein umfangreiches Sortiment von Leistungs-MOSFETs, die verschiedene Fahrzeuganwendungen in Batteriesystemen von 12 V bis 48 V abdecken. Toshiba ist seit den 1960er Jahren im Bereich diskrete Bauteile für die Automotive-Industrie tätig, das in den 1990er Jahren mit Gleichrichtern und Automotive-MOSFETs begann. Mit Leistung und Zuverlässigkeit gehen alle Automotive-Produkte von Toshiba’ über die AEC-Q101-Standards hinaus.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
Toshiba MOSFETs 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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62Auf Lager
4 000erwartet ab 04.09.2026
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 36.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 57 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 15 A 50 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 36 nC + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 20 A 22.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 37 nC + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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2 000erwartet ab 22.01.2027
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 21.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 80 nC + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 6.3 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 125 nC + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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2 000erwartet ab 11.01.2027
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 11 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 26 nC + 175 C 88.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 60W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 7 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7.1 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3 800erwartet ab 14.09.2026
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 172 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1 994erwartet ab 25.12.2026
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 214 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4 000erwartet ab 14.09.2026
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 55 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 49 nC + 175 C 157 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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9 031erwartet ab 04.09.2026
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Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4 987erwartet ab 11.01.2027
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Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 20 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 100 V 45 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 52 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape