High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Ergebnisse: 69
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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247-4
Datenblatt
3 278Auf Lager
€ 17,03
€ 10,19
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/6MOSICFETG4TO247-4
Datenblatt
384Auf Lager
€ 47,26
€ 33,72
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
Datenblatt
26Auf Lager
2 400Auf Bestellung
Cut-Tape
€ 10,01
€ 7,08
€ 5,25
€ 4,97
Reel
€ 4,97
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO263-7
Datenblatt
278Auf Lager
Cut-Tape
€ 21,04
€ 15,71
€ 13,59
€ 12,18
Reel
€ 12,18
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220
Datenblatt
335Auf Lager
1 000erwartet ab 13.11.2026
€ 22,87
€ 18,31
€ 15,83
€ 14,19
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1 000
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-4
Datenblatt
583Auf Lager
€ 11,09
€ 6,23
€ 5,78
€ 5,56
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO24
Datenblatt
1 142Auf Lager
€ 18,20
€ 11,10
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO26
Datenblatt
618Auf Lager
Cut-Tape
€ 16,54
€ 10,37
€ 10,07
Reel
€ 9,68
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3
Datenblatt
699Auf Lager
€ 10,40
€ 5,72
€ 5,71
€ 5,38
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO247
Datenblatt
614Auf Lager
€ 12,01
€ 6,90
€ 6,84
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-4
Datenblatt
562Auf Lager
€ 12,01
€ 8,51
€ 7,45
€ 6,28
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220
Datenblatt
475Auf Lager
€ 10,31
€ 5,94
€ 5,50
€ 5,12
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO263
Datenblatt
306Auf Lager
Cut-Tape
€ 13,08
€ 7,66
€ 7,25
Reel
€ 7,25
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO263
Datenblatt
648Auf Lager
Cut-Tape
€ 12,07
€ 6,91
€ 6,54
Reel
€ 6,54
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247
Datenblatt
626Auf Lager
€ 10,59
€ 6,06
€ 5,62
€ 5,38
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO263
Datenblatt
1 266Auf Lager
Cut-Tape
€ 6,77
€ 3,66
€ 3,62
€ 3,49
Reel
€ 3,49
€ 3,05
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
Datenblatt
202Auf Lager
€ 25,27
€ 18,86
€ 18,79
€ 16,85
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247-3
Datenblatt
513Auf Lager
€ 23,01
€ 14,28
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 300
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247
Datenblatt
1 258Auf Lager
€ 13,32
€ 7,94
€ 6,76
€ 6,22
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO263-7
Datenblatt
279Auf Lager
Cut-Tape
€ 25,44
€ 20,15
€ 18,79
€ 16,99
Reel
€ 16,99
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2
Datenblatt
343Auf Lager
Cut-Tape
€ 10,98
€ 6,30
€ 5,81
€ 5,50
Reel
€ 5,50
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24
Datenblatt
382Auf Lager
€ 31,53
€ 23,44
€ 22,24
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220-3
Datenblatt
892Auf Lager
€ 22,07
€ 14,19
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO247
Datenblatt
1 166Auf Lager
€ 13,12
€ 9,95
€ 9,39
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24
Datenblatt
610Auf Lager
€ 25,38
€ 16,85
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET