CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren

Die CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren von Infineon Technologies verfügen über eine hocheffiziente Galliumnitrid (GaN)-Transistortechnologie für die Leistungsumwandlung. Die Produktfamilie 650 V G5 eignet sich für Anwendungen in den Bereichen Verbraucher, Rechenzentren, Industrie und Solar. Die Transistoren bieten eine verbesserte Systemeffizienz und Leistungsdichte mit extrem schneller Schaltfähigkeit. Die CoolGaN-Technologie bietet diskrete und integrierte Lösungen, die die Gesamtleistung des Systems verbessern. Die Transistoren der Baureihe CoolGaN 650 V G5 von Infineon Technologies ermöglichen hohe Betriebsfrequenzen und reduzieren die EMI-Werte. Diese Transistoren sind ideal für die Stromverteilung, Schaltnetzteile (SMPS), Telekommunikation und andere industrielle Anwendungen.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Technologie
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Datenblatt
1 866Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 49 A 42 mOhms - 10 V 1.6 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
Datenblatt
2 970Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT QFN-32 N-Channel 2 Channel 650 V 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C GaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Datenblatt
1 539Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 22 A 70 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement CoolGaN Si
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Datenblatt
2 587Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.6 V 25 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolGaN Si
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Datenblatt
2 711Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 16 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement CoolGaN Si
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Datenblatt
2 285Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN Si
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Datenblatt
2 133Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 70 mOhms - 10 V 1.2 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Datenblatt
2 679Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.2 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Datenblatt
2 537Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 140 mOhms - 10 V 1.2 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Datenblatt
2 657Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 12 A 170 mOhms - 10 V 1.2 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Datenblatt
3 952Auf Lager
2 000erwartet ab 14.12.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Datenblatt
1 528Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 6 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Datenblatt
1 519Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Datenblatt
103Auf Lager
2 000erwartet ab 17.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 31 A 66 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement CoolGaN GaN