CoolSiC™ MOSFETs 650 V

Infineon Technologies  CoolSiC™ MOSFETs 650 V kombinieren die physikalische Stärke von Siliciumcarbid mit Funktionen, die die Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit des Bauelements verbessern. Mit seinem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren liefert der CoolSiC™ MOSFET die niedrigsten Verluste in der Applikation und die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb. CoolSiC eignet sich hervorragend für den Einsatz in Applikationen mit hohen Temperaturen und rauen Umgebungen.

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Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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