FF900R12ME7B11NPSA1

Infineon Technologies
726-FF900R12ME7B11N1
FF900R12ME7B11NPSA1

Herst.:

Beschreibung:
IGBT-Module 1200 V, 900 A dual IGBT module

Datenblatt:
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Infineon
Produktkategorie: IGBT-Module
RoHS: N
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.5 V
900 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Tray
Marke: Infineon Technologies
Produkt-Typ: IGBT Modules
Verpackung ab Werk: 10
Unterkategorie: IGBTs
Technologie: Si
Handelsname: EconoDUAL
Artikel # Aliases: FF900R12ME7_B11 SP005422550
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Datenblatt

Product Catalogs

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Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8504409100
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Österreich
Land der Verbreitung:
Österreich
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EconoDUAL™ 3-Econo-Leistungsmodule

Infineon Technologies EconoDUAL™ 3-Econo-Leistungsmodule unterstützen Strombereiche von 100 A bis zu 600 A bei 600 V/650 V/1.200 V und 1.700 V. Das EconoDUAL 3 verfügt über eine ausgezeichnete mechanische Robustheit bzw. Leistungszyklenfestigkeit und die Option von PressFIT-Pins. Durch die Verfügbarkeit von TIM sind diese Leistungsmodule eine zuverlässige und kostengünstige Lösung für Antriebs-, CAV-, Windturbinen-, Solar- und Hybrid-Fahrzeug-Applikationen. EconoDUAL™ 3-Module sind in Dreistufen-, Halbbrücken-, H-Brücken und Chopper-Topologien für effiziente Wechselrichter-Designs verfügbar.

Industrieantriebe

Infineon Industrial Drives bietet ein breites Portfolio an effizienten Halbleitern, die für Motorantriebe optimiert sind. Für intelligente Designs im Niedrigstrombereich kann der Entwickler auf intelligente Power-Module (IPMs) und diskrete Schaltkreise von Infineon zurückgreifen. Die EasyPIM™, EasyPACK™ und EconoPIM™ Module von Infineon eignen sich hervorragend für Antriebe mit mittlerer Leistung. EconoDUAL™ und PrimePACK™ sind die Lösungen der Wahl, wenn es um das Hochleistungsspektrum geht. Diese werden mit der innovativen .XT-Verbindungstechnologie kombiniert. PrimePACK-Module können Entwicklern dabei helfen, das Dilemma der Überlastung zu überwinden, indem sie die Lebensdauer durch erhöhte thermische und stromabhängige Belastbarkeit verlängern.

IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual-Konfigurationsmodule

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual-Konfigurationsmodule basieren auf der Mikromuster-Trench-Technologie, die Verluste reduziert und eine hohe Steuerbarkeit bietet. Das Zellkonzept zeichnet sich durch die Implementierung paralleler Trenchzellen aus, die im Gegensatz zu quadratischen Trench-Zellen durch Sub-Mikron-Mesas getrennt sind. Ein speziell optimierter Chip für industrielle Antriebsapplikationen und Solarenergiesysteme bietet geringe statische Verluste, eine hohe Leistungsdichte und ein sanftes Schalten. Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C ermöglichen die Module eine deutliche Erhöhung der Leistungsdichte.

FF900R12ME7_B11 Dual-IGBT-Modul

Das FF900R12ME7_B11 Dual-IGBT-Modul von Infineon Technologies verfügt über das EconoDUAL™ 3 Dual-TRENCHSTOP™-IGBT7-Modul mit NTC und PressFIT-Kontakttechnologie. Dieses IGBT-Modul hat eine hohe Leistungsdichte, verbesserte Anschlüsse und einen integrierten NTC-Temperatursensor. Das FF900R12ME7_B11 Modul bietet eine einfache und zuverlässige Montage und verhindert die Parallelschaltung von IGBT-Modulen. Dieses IGBT-Modul kann in einem Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C gelagert werden. Das FF900R12ME7_B11 Modul enthält eine optimierte Kriechstrecke für 1.500-V-PV-Applikationen sowie PressFIT-Steuerpins und Schraubleistungsanschlüsse. Dieses IGBT-Modul eignet sich hervorragend für den Einsatz in Motorsteuerungs-Bauteilen, Lösungen für Solarenergiesysteme, Servoantriebe und USV-Systeme.

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