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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
IXYS IGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
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1 240Auf Lager
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Si TO-264-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 25 V, 25 V 130 A 625 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT
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2 724Auf Lager
Min.: 1
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Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 3 kV 3 V - 25 V, 25 V 104 A 500 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
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2 820Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 480 A 1.5 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs IXYH55N120C4H1
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629Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 126 A 650 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs TO247 4500V 30A IGBT
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1 063Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247HV-3 Through Hole Single 4.5 kV 3.9 V - 20 V, 20 V 60 A 430 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBTs 1700V/108A High Voltage XPT IGBT
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936Auf Lager
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Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.7 kV 4 V - 20 V, 20 V 100 A 937 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs PLUS247 1700V 50A XPT
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794Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.7 V - 20 V, 20 V 178 A 1.5 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT
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1 050Auf Lager
30erwartet ab 14.09.2026
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Si TO-247-3 SMD/SMT Single 2.5 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 5 A 32 W - 55 C + 150 C Planar Tube
IXYS IGBTs BIMOSFETS 1700V 200A
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632Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-264-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.1 V - 20 V, 20 V 200 A 1.04 kW - 55 C + 150 C IXBK75N170 Tube
IXYS IGBTs SOT227 1700V 160A IGBT
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350Auf Lager
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Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.7 kV 2.6 V - 20 V, 20 V 280 A 1.25 kW - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBTs SMPDB 3KV 22A IGBT
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222Auf Lager
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Si SMD/SMT Quad 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 150 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBTs BIMOSFET 1700V 75A
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3 209Auf Lager
Min.: 1
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Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBT42N170 Tube
IXYS IGBTs 32 Amps 1700 V 5 V Rds
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1 215Auf Lager
Min.: 1
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Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 5 V - 20 V, 20 V 16 A 190 W - 55 C + 150 C IXGT16N170 Tube
IXYS IGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT
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650Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247-PLUS-HV-3 Through Hole Single 2.5 kV 4 V - 20 V, 20 V 95 A 937 W - 55 C + 175 C High Voltage Tube
IXYS IGBTs XPT 600V IGBT 300A
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684Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 550 A 2.3 kW - 55 C + 175 C IXXX300N60 Tube
IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
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1 352Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 300 A 1.15 kW - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
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1 403Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 340 A 1.36 kW - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 4 Tube
IXYS IGBTs 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
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58Auf Lager
300erwartet ab 18.01.2027
Min.: 1
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Si TO-263AB-2 SMD/SMT Single 650 V 1.67 V 20 V 110 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS IGBTs 32 Amps 1700 V 5 V Rds
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901Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 4.2 V - 20 V, 20 V 16 A 190 W - 55 C + 150 C IXGH16N170 Tube

IXYS IGBTs 12 Amps 1700 V 7 V Rds
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172Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 7 V - 20 V, 20 V 6 A 75 W - 55 C + 150 C IXGH6N170 Tube
IXYS IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
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468Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-220AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 40 A 180 W - 55 C + 150 C IXGP20N120 Tube
IXYS IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
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172Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 170 A 750 W - 55 C + 175 C IXYH75N65 Tube
IXYS IGBTs TO264 1200V 110A GENX4
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84Auf Lager
Min.: 1
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Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
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70Auf Lager
300erwartet ab 18.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.68 V 20 V 230 A 750 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
Datenblatt
77Auf Lager
300erwartet ab 18.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-263-2L SMD/SMT Single 650 V 1.3 V 20 V 122 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube