Halbbrücken-IGBTs

Vishay Semiconductors   Halbbrücken-IGBTs verfügen über die Trench-IGBT-Technologie und Stromwerte von 100 A, 150 A und 200 A. Diese IGBTs verfügen über geringe Leitungsverluste, eine niedrige thermische Sperrschicht-zu-Gehäuse-Reduzierung und eine direkte Montage am Kühlkörperdesign. Halbbrücken-IGBTs bieten antiparallele FRED Pt ® -Dioden der 4. Gen. mit extrem sanften Sperrverzögerungseigenschaften. Die Halbbrücken-IGBTs von Vishay Semiconductors sind für Hochstrom-Wechselrichterstufen, wie z. B. AC-TIG-Schweißmaschinen optimiert.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Produkt Konfiguration Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Kollektorgleichstrom bei 25 C Kriechstrom Gate-Emitter Pd - Verlustleistung Verpackung/Gehäuse Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Technologie Verpackung
Vishay Semiconductors IGBT-Module Modules IGBT - IAP IGBT 72Auf Lager
€ 79,22
€ 70,27
€ 59,82
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Half Bridge 650 V 193 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Screw Mount Si Bulk
Vishay Semiconductors IGBT-Module Modules IGBT - IAP IGBT 14Auf Lager
€ 97,70
€ 77,27
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Half Bridge 650 V 476 A 480 nA 1 kW Module - 40 C + 175 C Screw Mount Si Bulk
Vishay Semiconductors IGBT-Module Modules IGBT - IAP IGBT
12erwartet ab 17.11.2026
€ 87,02
€ 77,06
€ 71,45
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Half Bridge 650 V 372 A 360 nA 789 W Module - 40 C + 175 C Screw Mount Si Bulk
Vishay Semiconductors IGBT-Module Modules IGBT - IAP IGBT
85Auf Bestellung
€ 58,85
€ 51,58
€ 47,99
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Half Bridge 650 V 96 A 120 nA 259 W Module - 40 C + 175 C Screw Mount Si Bulk
Vishay Semiconductors IGBT-Module Modules IGBT - IAP IGBT N/A
€ 77,60
€ 57,75
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Half Bridge 650 V 247 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Screw Mount Si Bulk