MDmesh™ DM6 600-V-Super-Junction-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM6 600V-Super-Junction-MOSFETs sind für ZVS-, Vollbrücken- und Halbbrücken-Topologien optimiert. Mit einer Durchlassspannung von 600 V kombinieren die MDmesh DM6 Leistungs-MOSFETs ein optimiertes Kapazitätsprofil mit Lebensdauertotzeitverfahren. Die MDmesh DM6 MOSFETs bieten eine niedrige Gate-Ladung (Qg), sehr niedrige Freilaufladung (Qrr), langsame Recoveryzeit (trr) und einen hervorragenden-RDS(on) pro Bereich.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET
Datenblatt
475Auf Lager
€ 7,22
€ 3,92
€ 3,60
€ 3,33
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 71 mOhms 25 V 3.25 V 54 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
Datenblatt
270Auf Lager
€ 8,74
€ 5,99
€ 4,94
€ 4,81
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms 25 V 3.25 V 117 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
Datenblatt
585Auf Lager
€ 6,89
€ 4,31
€ 3,71
€ 3,12
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 71 mOhms 25 V 3.25 V 54 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Datenblatt
2 632Auf Lager
Cut-Tape
€ 7,02
€ 4,36
€ 3,72
€ 3,35
€ 3,06
Reel
€ 3,00
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms 25 V 3.25 V 44 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
1 186Auf Lager
€ 4,19
€ 2,16
€ 1,69
€ 1,60
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 195 mOhms 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
€ 1,52
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 195 mOhms 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
€ 5,21
Min.: 600
Mult.: 600
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
€ 11,64
€ 8,51
€ 7,09
€ 6,31
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 41 mOhms 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
€ 4,15
Min.: 600
Mult.: 600
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 42 mOhms 25 V 3.25 V 99 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube