UMOS9-H n-Kanal-Silizium-MOSFETs

Toshiba UMOS9-H n-Kanal-Silizium-MOSFETs eignen sich hervorragend für DC/DC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad, Schaltspannungsregler und Motortreiber. Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Ausgangsladung, einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand und einen niedrigen Ableitstrom aus. Die UMOS9-H n-Kanal-MOSFETs verfügen über eine Drain-Source-Spannung von 80 V, eine Gate-Quellenspannung von ±20 V und eine Kanaltemperatur von 175°C. Darüber hinaus verfügen diese MOSFETs über einen Gate-Ableitstrom von ±0,1µA, einen Drain-Abschaltstrom von 10µA und einen Lagertemperaturbereich von -55°C bis +175°C. Die UMOS9-H n-Kanal-MOSFETs sind RoHS-konform und in einem 2-5W1A-Gehäuse (SOP Advance (N)) von 0,108 g verfügbar.