DMN601WKQ n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Die n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs DMN601WKQ von Diodes Inc. sind gegen elektrostatische Entladungen (ESD) geschützt und bieten eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Diese MOSFETs verfügen über einen niedrigen On-Widerstand (RDS(ON)), eine niedrige Schwellwertspannung, eine niedrige Eingangskapazität und einen niedrigen Eingangs-/Ausgangsableitstrom. Die Einstufung der Feuchtigkeitsempfindlichkeit von diesen MOSFETs beträgt 1 gemäß J-STD-020. Die DMN601WKQ MOSFETs sind PPAP (Produktionsteil-Abnehmverfahren)-fähig und nach AEC-Q101 qualifiziert. Diese MOSFETs sind frei von Blei, Antimon und Halogen und sind in einem S0T323-Gehäuse erhältlich.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Diodes Incorporated MOSFETs 2N7002 Family
Datenblatt
5 770Auf Lager
Cut-Tape
€ 0,447
€ 0,309
€ 0,195
€ 0,123
Anzeigen
Reel
€ 0,071
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 10 000
Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 2 Ohms 20 V 2.5 V - 65 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 2N7002 Family
Datenblatt
6 000Auf Bestellung
Cut-Tape
€ 0,387
€ 0,17
€ 0,149
€ 0,134
€ 0,124
Reel
€ 0,07
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 3 Ohms 20 V 2.5 V - 65 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel