EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)

onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren sind als Ersatz für ein einzelnes Bauteil und sein externes Widerstands-Vorspannungsnetzwerk vorgesehen. Die Vorspannungswiderstands-Transistoren (BRTs) integrieren einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetzwerk, das aus zwei Widerständen, einem Basiswiderstand und einem Basis-Emitterwiderstand besteht. Diese BRTs eliminieren diese einzelnen Bauelemente, indem sie in einem einzigen Bauteil integriert werden. Die EMD4DXV6 Transistoren zeichnen sich durch eine Kollektor-Basisspannung von 50 Vdc, eine Kollektor-Emitter-Spannung von 50 Vdc und einen Kollektorstrom von 100 mAdc aus. Diese Transistoren unterstützen einen Sperr- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C.

Ergebnisse: 2
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Konfiguration Transistorpolung Regeleingangswiderstand Regelwiderstandsverhältnis Montageart Verpackung/Gehäuse DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Kollektorgleichstrom Spitzen-Kollektorgleichstrom (DC) Pd - Verlustleistung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
onsemi Digitaltransistoren Dual Complementary NPN & PNP Digital 6 536Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Dual NPN, PNP 47 kOhms 1, 0.21 SMD/SMT SOT-553-5 80 50 V 100 mA 100 mA 357 mW - 55 C + 150 C EMD4DXV6 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Digitaltransistoren Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
4 000erwartet ab 16.08.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Dual NPN, PNP 10 kOhms 0.21 SMD/SMT SOT-563-6 80 50 V 100 mA 357 mW - 55 C + 150 C EMD4DXV6 Reel, Cut Tape