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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 740Auf Lager
2 000Auf Bestellung
Cut-Tape
€ 31,31
€ 23,29
€ 23,28
€ 22,23
Reel
€ 22,06
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 143Auf Lager
2 000Auf Bestellung
Cut-Tape
€ 23,45
€ 16,38
€ 15,95
€ 15,11
Reel
€ 14,30
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 294Auf Lager
Cut-Tape
€ 14,04
€ 8,41
€ 8,40
Reel
€ 7,96
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1 609Auf Lager
Cut-Tape
€ 11,33
€ 6,89
€ 6,79
Reel
€ 6,52
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 561Auf Lager
Cut-Tape
€ 8,23
€ 4,54
€ 4,18
€ 4,15
Reel
€ 3,71
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 844Auf Lager
2 000Auf Bestellung
Cut-Tape
€ 5,01
€ 2,63
€ 2,40
€ 2,17
Reel
€ 2,05
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 5 092Auf Lager
Cut-Tape
€ 4,53
€ 2,36
€ 2,14
€ 1,89
Reel
€ 1,88
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1 000
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 200Auf Lager
1 000erwartet ab 10.12.2026
Cut-Tape
€ 9,71
€ 5,55
€ 4,99
Reel
€ 4,72
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 46Auf Lager
2 000erwartet ab 10.06.2027
Cut-Tape
€ 7,23
€ 3,90
€ 3,58
€ 3,46
Reel
€ 3,05
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2 000Auf Bestellung
Cut-Tape
€ 16,70
€ 10,51
€ 10,25
€ 10,00
Reel
€ 9,82
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2 000erwartet ab 18.02.2027
Cut-Tape
€ 5,87
€ 3,12
€ 2,86
€ 2,67
Reel
€ 2,53
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement