Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Die Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen werden unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 2./3. Generation von ST entwickelt.  Die Bauteile verfügen über einen niedrigen On-Widerstand pro Flächeneinheit und eine sehr gute Schaltleistung. Die MOSFETs verfügen über eine sehr hohe Betriebstemperaturbelastbarkeit (TJ = 200°C) und eine sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
558Auf Lager
€ 20,91
€ 16,74
€ 14,47
€ 13,71
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP247-3 1 Channel 900 V 110 A 15.8 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 138 nC - 55 C + 200 C 625 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
443Auf Lager
€ 23,84
€ 19,08
€ 16,50
€ 15,63
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP-247-4 1 Channel 1.2 kV 129 A 15 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 167 nC - 55 C + 200 C 673 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
139Auf Lager
600Auf Bestellung
€ 17,22
€ 10,20
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole Hip247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C + 200 C 541 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
869Auf Lager
Cut-Tape
€ 11,42
€ 8,51
€ 7,10
€ 6,32
Reel
€ 5,90
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Datenblatt
19Auf Lager
1 200erwartet ab 29.10.2026
Cut-Tape
€ 19,15
€ 14,30
€ 12,38
Reel
€ 11,71
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C 555 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
14Auf Lager
1 200Auf Bestellung
€ 17,22
€ 11,18
€ 9,89
€ 9,10
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP-247-4 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Datenblatt
43Auf Lager
600Auf Bestellung
€ 16,30
€ 10,14
€ 9,51
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP247-3 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Datenblatt
14Auf Lager
600erwartet ab 03.09.2027
€ 12,03
€ 9,17
€ 7,64
€ 6,81
€ 6,36
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP-247-3 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
Datenblatt
1 200erwartet ab 06.08.2027
Cut-Tape
€ 26,51
€ 21,22
€ 18,35
Reel
€ 17,38
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 750 V 110 A 15 mOhms - 10 V, + 22 V 3.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
1 985Auf Bestellung
Cut-Tape
€ 23,19
€ 18,57
€ 16,06
€ 15,20
Reel
€ 14,21
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 112 A 22 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
1 997erwartet ab 16.04.2027
Cut-Tape
€ 15,79
€ 9,78
€ 9,65
Reel
€ 8,91
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 55 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
998erwartet ab 04.06.2027
Cut-Tape
€ 19,83
€ 12,87
€ 12,85
€ 12,14
Reel
€ 11,34
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 900 V 110 A 12 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 138 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
Datenblatt
1 200erwartet ab 09.04.2027
Cut-Tape
€ 13,94
€ 10,62
€ 8,85
Reel
€ 7,89
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 1.2 kV 40 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
Datenblatt
600erwartet ab 06.08.2027
Cut-Tape
€ 11,75
€ 8,95
€ 7,46
Reel
€ 6,65
€ 6,29
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT H2PAK-2 1 Channel 650 V 7 A 40 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Datenblatt
1 800erwartet ab 20.08.2027
Cut-Tape
€ 11,64
€ 7,52
€ 6,85
Reel
€ 6,23
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
Datenblatt
599erwartet ab 14.12.2026
Cut-Tape
€ 12,62
€ 8,66
€ 7,63
Reel
€ 6,88
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
100Auf Bestellung
€ 11,76
€ 8,76
€ 7,30
€ 6,51
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101