STP65N150M9

STMicroelectronics
511-STP65N150M9
STP65N150M9

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
150 mOhms
30 V
3.2 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
140 W
Enhancement
Tube
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 10 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5 ns
Serie: MDmesh M9
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 12 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
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Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MDmesh™ M9 Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh™ M9 von STMicroelectronics zeichnen sich durch eine verbesserte Bauelementstruktur, einen niedrigen ON-Widerstand und niedrige Gate-Ladungswerte aus. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine hohe Rückwärtsdioden-dv/dt- und MOSFET-dv/dt-Robustheit, eine hohe Leistungsdichte und geringe Leitungsverluste. Darüber hinaus bieten die MDmesh M9-Leistungs-MOSFETs eine hohe Schaltgeschwindigkeit, einen hohen Wirkungsgrad und geringe Schaltleistungsverluste. Diese Leistungs-MOSFETs sind mit der innovativen Hochspannungs-Super-Junction-Technologie ausgelegt, die eine beeindruckende Gütezahl (FoM) liefert. Der hohe FoM ermöglicht höhere Leistungsstufen und eine höhere Dichte für kompaktere Lösungen. Zu den typischen Applikationen gehören Server, Telekommunikations-Rechenzentren, 5G-Kraftwerke, Mikrowechselrichter und Schnell Ladegeräte.

STP65N150M9 Leistungs-MOSFET

Der STMicroelectronics STP65N150M9 Leistungs-MOSFET basiert auf der MDmesh-M9-Superjunction-Technologie. Das Bauteil eignet sich für MOSFETs mit einer mittleren/hohen Spannung und verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) pro Fläche. Die Silizium-basierte M9-Technologie profitiert von einem Multi-Drain-Herstellungsprozess, der eine verbesserte Bauteilstruktur ermöglicht. Das resultierende Produkt verfügt über einen der niedrigeren Einschaltwiderstände und reduzierte Gate-Ladungswerte unter allen Silizium-basierten, schnellschaltenden Superjunction-Leistungs-MOSFETs. Diese Merkmale machen das Bauteil besonders geeignet für Applikationen, die eine hervorragende Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.

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