TK110N65Z,S1F

Toshiba
757-TK110N65ZS1F
TK110N65Z,S1F

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI

Datenblatt:
ECAD Model:
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Toshiba
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
110 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
Tube
Marke: Toshiba
Abfallzeit: 4 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 35 ns
Serie: DTMOS VI
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 90 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 62 ns
Gewicht pro Stück: 6 g
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Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

TK110N65Z DTMOSVI Leistungs-MOSFET

Der Toshiba TK110N65Z DTMOSVI Leistungs-MOSFET verfügt über einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand von RDS(ON) = 0,092 Ω (typisch.). Der MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit niedriger Kapazität und einen Erweiterungsmodus von Vth = 3 bis 4 V (VDS = 10 V, ID = 1,02 mA). Diese Bauteile eignen sich hervorragend für Schaltnetzteil-Applikationen.

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.

650-V-DTMOS-VI-Superjunction-MOSFETs

Toshiba  650-V-DTMOS-VI-Superjunction-MOSFETs sind für den Betrieb in Schaltnetzteilen ausgelegt. Diese n-Kanal-MOSFETs verfügen über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit niedriger Kapazität. Die  650-V-DTMOS-VI-Superjunction-MOSFETs bieten einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (typisch) von 0,092 Ω bis 0,175 Ω. Diese Bauteile verfügen über eine Drain-Source-Spannung von 10 V.

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