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LMG2100R026VBNR

Name: Texas Instruments LMG2100R026VBNR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG2100R026VBNR
Price: 9.68 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG2100R026VBNR

Herst.- Nr.:

LMG2100R026VBNR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 100V 2.6m? half-brid ge gallium nitride

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

LMG2100R026VBNR Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VQFN-16
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	8 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.75 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.25 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LMG2100R026
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Kenndaten und Eigenschaften:	Low Power Consumption
Eingangsspannung – Max:	5.25 V
Eingangsspannung – Min:	4.75 V
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsspannung:	12 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	55 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.5 mOhms
Abschaltung:	No Shutdown
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

LMG2100R026VBNR Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

LMG2100R026 GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe

Die LMG2100R026 GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe von Texas Instruments enthält einen Gate-Treiber und Anreicherungsmodus-Galliumnitrid (GaN)-FETs. Die 53 A Halbbrücken-Leistungsstufe mit 93 V kontinuierlicher und 100 V Impulsspannung enthält zwei GaN-FETs, die von einem Hochfrequenz-GaN-FET-Treiber in einer Halbbrücken-Konfiguration angesteuert werden. Der Treiber und die beiden GaN-FETs sind auf einer vollständig bonddrahtfreien Gehäuseplattform mit minimierten parasitären Gehäusekomponenten montiert.

EMPFOHLENE PRODUKTE

TEXAS INSTRUMENTS

UCC2773x/-Q1n Halbbrücken Gate-Treiber

Bietet eine 3,5-A-Quellenstrom- und 4-A-Senkenstrom-Fähigkeit zum Ansteuern von Leistungs-MOSFETs und IGBTs.

Mehr erfahren

UCC5713x/UCC5713x-Q1 Low-Side-Gate-Treiber

Diese Bauteile eignen sich für die effektive Ansteuerung von MOSFET-, IGBT- und SiC-Leistungsschaltern.

Mehr erfahren

UCC27302A/UCC27302A-Q1 Gate-Treiber

Entwickelt für Schaltanwendungen, die eine schnelle Reaktion und eine hohe Strombelastbarkeit erfordern.

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UCC21351x-Q1 Gate-Treiber

Ermöglicht einen hohen Wirkungsgrad, Hochleistungsdichte und Robustheit in einer Vielzahl von Leistungsapplikationen.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 9,68	€ 9,68
	€ 7,44	€ 74,40
	€ 6,90	€ 172,50
	€ 6,33	€ 633,00
	€ 6,02	€ 1.505,00
	€ 5,90	€ 2.950,00
	€ 5,77	€ 5.770,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 5,49	€ 13.725,00
5 000	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

LMG2100R026VBNR

Herst.: Texas Instruments

Beschreibung: Gate-Treiber 100V 2.6m? half-brid ge gallium nitride

Technische Daten

Dokumente (1)

Datenblatt

Umweltunterlagen

Produkt- und Handelskonformität

Mehr über

LMG2100R026 GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe

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Gate-Treiber 100V 2.6m? half-brid ge gallium nitride

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