MoBL™ Extrem zuverlässige asynchrone SRAMs

Die extrem zuverlässigen asynchronen MOBL™ -SRAMs von Infineon Technologies bieten eine Leistungsfähigkeit für eine große Auswahl von Industrie-, Kommunikations-, Datenverarbeitungs-, Medizintechnik-, Unterhaltungselektronik- und Militärapplikationen mit hoher Zuverlässigkeit. Diese SRAMs sind mit On-Chip-ECC erhältlich. Diese Bauteile sind hinsichtlich der Form und Funktion kompatibel mit asynchronen SRAMs der älteren Generation. Das ermöglicht es dem Benutzer, die Systemzuverlässigkeit zu verbessern, ohne in ein PCB-Neudesign zu investieren. Es handelt sich um die erste Gerätefamilie, welche die Zugriffszeit eines schnellen asynchronen SRAM mit einem einzigartigen extrem stromsparenden Schlafmodus (PowerSnooze™) kombiniert. Diese schnellen SRAMs von Infineon Technologies beseitigen den Kompromiss zwischen Leistung und Stromverbrauch in asynchronen SRAM-Anwendungen. Die besten Funktionen der bestehenden Produktfamilie werden durch die Bereitstellung eines neuartigen extrem stromsparenden Schlafmodus namens PowerSnooze ermöglicht. Der PowerSnooze ist ein zusätzlicher Betriebsmodus zu asynchronen Standard-SRAM-Betriebsmodi (Aktiv, Standby und Datenhaltung). Der Deep-Sleep-Pin (DS#) ermöglicht dem Bauelement den Wechsel zwischen dem Hochleistungs-Aktivmodus und dem extrem stromsparenden PowerSnooze-Modus. Mit einem niedrigen Tiefschlafstrom von 15 μA auf 4-MBit-Geräten kombiniert der schnelle SRAM mit PowerSnooze die besten Funktionen von schnellem und Micropower-SRAM in einem einzigen Bauelement.