BGA-24 DRAM

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Menge RoHS ECAD Model Typ
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Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
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Maximale Betriebstemperatur
Serie
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AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24
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8 165Auf Lager
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PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 133 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24
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9 553Auf Lager
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PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 133 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
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6 439Auf Lager
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PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
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917Auf Lager
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PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
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829Auf Lager
Min.: 1
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PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24
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2 960Auf Lager
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PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 133 MHz BGA-24 8 M x 8 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
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548Auf Lager
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PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
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104Auf Lager
4 800erwartet ab 27.08.2026
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PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM Octal Double-Data-Rate PSRAM, 133 MHz, BGA-24
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68Auf Lager
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PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 133 MHz BGA-24 8 M x 8 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
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842Auf Lager
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PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
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418Auf Lager
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PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24
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475Auf Lager
4 320erwartet ab 21.12.2026
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PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit 133 MHz BGA-24 16 M x 8 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed
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3 238Auf Lager
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PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
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893Auf Lager
4 800erwartet ab 28.12.2026
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PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed
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42Auf Lager
19 200erwartet ab 21.12.2026
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PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Winbond DRAM 64Mb HyperRAM x8, 250MHz 1 970Auf Lager
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: 2 000

64 Mbit 250 MHz BGA-24 6 M x 8 Reel, Cut Tape
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
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14 300erwartet ab 21.12.2026
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PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
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4 703erwartet ab 02.09.2026
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PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4 800
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PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
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Vorlaufzeit 20 Wochen
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PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray