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IGW25N120H3FKSA1

Name: Infineon IGW25N120H3FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGW25N120H3FKSA1
Price: 5.13 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IGW25N120H3FKSA1

Herst.- Nr.:

IGW25N120H3FKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs IGBT PRODUCTS

Datenblatt:

IGW25N120H3FKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.05 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	50 A
Pd - Verlustleistung:	326 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	Rectifier Diode Module
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Kriechstrom Gate-Emitter:	600 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	TRENCHSTOP
Artikel # Aliases:	IGW25N120H3 SP000674424
Gewicht pro Stück:	4,430 g

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Datenblatt

IGW25N120H3FKSA1 Datenblatt (PDF)

Models

Product Catalogs

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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Herst. Teilenr.:

IGW25N120H3XK

Verpackung:

Tube

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 5,08

Min:

IGW25N120H3FKSA1

Herst.: Infineon Technologies

Beschreibung: IGBTs IGBT PRODUCTS

Technische Daten

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