45 Induktivitäten, Drosseln & Spulen

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Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
Mult.: 2 000
: 2 000

820 nH 2 % 400 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
Mult.: 2 000
: 2 000

820 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
Mult.: 2 000
: 2 000

820 nH 10 % 400 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
Mult.: 2 000
: 2 000

910 nH 2 % 310 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
Mult.: 2 000
: 2 000

910 nH 5 % 310 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 22 000
Mult.: 2 000
: 2 000

910 nH 10 % 310 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 12 000
Mult.: 4 000
: 4 000

33 nH 3 % 680 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 12 000
Mult.: 4 000
: 4 000

33 nH 5 % 680 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 12 000
Mult.: 4 000
: 4 000

43 nH 3 % 810 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 12 000
Mult.: 4 000
: 4 000

43 nH 5 % 810 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 12 000
Mult.: 4 000
: 4 000

91 nH 3 % 440 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 12 000
Mult.: 4 000
: 4 000

91 nH 5 % 440 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 12 000
Mult.: 4 000
: 4 000

250 nH 3 % 240 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 12 000
Mult.: 4 000
: 4 000

250 nH 5 % 240 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 12 000
Mult.: 4 000
: 4 000

4.3 nH 5 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 12 000
Mult.: 4 000
: 4 000

4.7 nH 5 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 12 000
Mult.: 4 000
: 4 000

5.1 nH 5 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 26 000
Mult.: 2 000
: 2 000

250 nH 2 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 26 000
Mult.: 2 000
: 2 000

250 nH 5 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 26 000
Mult.: 2 000
: 2 000

250 nH 10 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 24 000
Mult.: 2 000
: 2 000

150 nH 5 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 24 000
Mult.: 2 000
: 2 000

150 nH 10 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 24 000
Mult.: 2 000
: 2 000

180 nH 5 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 24 000
Mult.: 2 000
: 2 000

180 nH 10 % SMD/SMT + 125 C
Pulse Electronics HF-Induktivitäten – SMD Chilisin RF inductor Wire Wound-STD Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 24 000
Mult.: 2 000
: 2 000

200 nH 2 % SMD/SMT + 125 C