RF Chip Inductors

Fastron RF Chip Inductors feature a ceramic core and are designed for RF applications that require optimal Q on high-frequency circuits. Fastron RF chip inductors feature gold flash pad metallization to provide better solderability for a higher yield in production, and the encapsulation not only protects the winding but also allows surface mount assembly. Case sizes are available in 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, and 1210 with an operating temperature range from -40°C to +125°C. Applications include mobile telecommunication, automotive subsystems, and wireless communication.

Arten von Induktivitäten, Drosseln und Spulen
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Induktivität
Abweichungstoleranz
Maximaler Gleichstrom (DC)
Montage
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Fastron HF-Induktivitäten – SMD Ceramic Core Wire-wound Chip Inductor for RF Applications, Ind 15nH, Tol 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

15 nH 5 % 1.15 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD Ceramic Core Wire-wound Chip Inductor for RF Applications, Ind 16nH, Tol 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

16 nH 5 % 1.1 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD Ceramic Core Wire-wound Chip Inductor for RF Applications, Ind 17nH, Tol 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

17 nH 5 % 1.1 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD Ceramic Core Wire-wound Chip Inductor for RF Applications, Ind 18nH, Tol 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

18 nH 5 % 1.1 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD Ceramic Core Wire-wound Chip Inductor for RF Applications, Ind 19nH, Tol 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

19 nH 5 % 1.1 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD Ceramic Core Wire-wound Chip Inductor for RF Applications, Ind 20nH, Tol 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

20 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD AEC-Q200 Qualified
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

20 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD Ceramic Core Wire-wound Chip Inductor for RF Applications, Ind 21nH, Tol 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

21 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD Ceramic Core Wire-wound Chip Inductor for RF Applications, Ind 22nH, Tol 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

22 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD AEC-Q200 Qualified
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

22 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD Ceramic Core Wire-wound Chip Inductor for RF Applications, Ind 23nH, Tol 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

23 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD AEC-Q200 Qualified
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

23 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD Ceramic Core Wire-wound Chip Inductor for RF Applications, Ind 24nH, Tol 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

24 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD AEC-Q200 Qualified
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

24 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD Ceramic Core Wire-wound Chip Inductor for RF Applications, Ind 25nH, Tol 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

25 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD AEC-Q200 Qualified
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

25 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD Ceramic Core Wire-wound Chip Inductor for RF Applications, Ind 26nH, Tol 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

26 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD Ceramic Core Wire-wound Chip Inductor for RF Applications, Ind 27nH, Tol 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

27 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD AEC-Q200 Qualified
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

27 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD Ceramic Core Wire-wound Chip Inductor for RF Applications, Ind 30nH, Tol 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

30 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD AEC-Q200 Qualified
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

30 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD Ceramic Core Wire-wound Chip Inductor for RF Applications, Ind 33nH, Tol 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

33 nH 5 % 650 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD AEC-Q200 Qualified
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

33 nH 5 % 650 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD Ceramic Core Wire-wound Chip Inductor for RF Applications, Ind 36nH, Tol 5%
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

36 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron HF-Induktivitäten – SMD AEC-Q200 Qualified
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

36 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200