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STMicroelectronics Neueste Diskrete Halbleiter

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Arten von diskreten Halbleitern

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STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phasen-Wechselrichter und IGBT SLLIMM

08.19.2026

- Dieses Bauteil eignet sich ideal für Motorantriebe, die in hartschaltenden Schaltungen mit bis zu 20 kHz betrieben werden.

STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor

08.11.2026

- Bietet extrem niedrige Leitungsverluste, Hochstromfähigkeit und ultraschnellen Schaltbetrieb.

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor

08.10.2026

- Ausgelegt für hocheffiziente und leistungsstarke Schaltapplikationen.

STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.10.2026

- Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.

STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

03.31.2026

- Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

STMicroelectronics SGT080R70ILB E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

12.04.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR für hocheffiziente Leistungsumwandlungs- Applikationen entwickelt.

STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor

11.07.2025

- Basiert auf GaN-Technologie und ist für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs-Applikationen konzipiert.

STMicroelectronics SGT350R70GTK E-Mode PowerGaN TRANSISTOR

10.28.2025

- E-Mode PowerGaN TRANSISTOR, der für eine effiziente Leistungsumwandlung in anspruchsvollen Applikationen optimiert ist.

STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA Fahrzeug Leistungsmodul

09.26.2025

- Bietet eine Sixpack Topologie mit NTC für die DC/DC-Wandler Stufe des OBC in Elektrofahrzeugen.

STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA Fahrzeug-Leistungsmodul

09.26.2025

- Bietet eine 3-Phasen 4-wire PFC -Topologie mit integriertem NTC für den OBC in Hybrid- & Elektrofahrzeugen.

STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2

05.22.2025

- Durch Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt.

STMicroelectronics ESDAxWY Unidirektionaler Automotive-ESD-Schutz

01.10.2025

- TVS wurde zum Schutz empfindlicher Elektronik in rauen Umgebungen entwickelt.

STMicroelectronics TN8050H-12WL Hochtemperatur-SCR-Thyristor

01.01.2025

- Geeignet für Industrieapplikationen, die eine hohe Immunität bei niedrigerem Gatestrom erfordern.

STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT mit Diode

12.24.2024

- Kombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrücken-Topologie.

STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4 Bidirektionale Einzelleitungs-TVS-Diode

10.14.2024

- Das Bauteil ist zum Schutz von Datenleitungen oder anderen I/O-Anschlüssen gegen ESD-Überspannungen ausgelegt.

STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y Ultra-schnelles 600-V-Brückenmodul

10.08.2024

- Eignet sich für den Einsatz in Ladeapplikationen, entweder im Fahrzeug oder in einer Ladestation integriert.

STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT

09.12.2024

- Mit einem fortschrittlichen Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG Automobilstandard-IGBT

09.12.2024

- Mit einem fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.

STMicroelectronics ESDA5WY Unidirektionaler Automotive-ESD-Schutz

09.10.2024

- Unidirektionaler Automotive-Transientenspannungsschutz (TVS), der für raue Umgebungen ausgelegt ist.

STMicroelectronics STBR3012L2Y-TR Automotive-Hochspannungsgleichrichter

08.09.2024

- Qualitativ hochwertiges Design mit konsistent reproduzierbaren Eigenschaften und intrinsischer Robustheit.

STMicroelectronics MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

07.22.2024

- 800 V, durch Zener-Diode geschützt, zu 100 % Avalanche-getestet und ideal für Sperrwandler und LED-Beleuchtung.

STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe

07.03.2024

- 1200 V, 40 A, verlustarm, niedriger thermischer Widerstand und in einem TO-247-Gehäuse mit langer Anschlussleitung erhältlich.

STMicroelectronics STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

12.01.2023

- Sie sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V.

STMicroelectronics STGD4H60DF 600 V 4 A Hochgeschwindigkeits-IGBT der H-Baureihe

10.31.2023

- Mit einer fortschrittlichen trench-gate-field-stop-Struktur ausgelegt.

STMicroelectronics ACEPACK-DMT-32-Leistungsmodul M1F45M12W2-1LA

10.19.2023

- Entwickelt für die DC/DC-Wandlerstufe von Hybrid- und Elektrofahrzeugen.

Ansicht: 1 - 25 von 37

Filtern nach:

IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 18 mΩ und 112A SiC-MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200 V, 35 mΩ und 67 A SiC- MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 21mΩ und 102A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 13,5 mΩ und 147A SiC-MOSFET empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 55mΩ und 48,3A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules

09.01.2026

- Simplifies and accelerates adoption of SSTs in data centers & other high-voltage power applications.

IXYS SK002xSx Empfindliche SCRs

08.27.2026

- Empfindliche SCRs mit Unterstützung für Mikroprozessorantrieb und hohe Störsicherheit.

onsemi 80-V-N-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs

08.25.2026

- Bieten einen niedrigen RDS(on) , um Leitungsverluste zu minimieren, sowie niedrige QG und Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren.

onsemi NXH011F120M3F2 SiC-MOSFETs

08.25.2026

- EliteSiC-MOSFET-Vollbrückenmodule mit On-Widerstand von 11 mΩ und einer Nennspannung von 1.200 V.

STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phasen-Wechselrichter und IGBT SLLIMM

08.19.2026

- Dieses Bauteil eignet sich ideal für Motorantriebe, die in hartschaltenden Schaltungen mit bis zu 20 kHz betrieben werden.

Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode

08.17.2026

- Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.

Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode

08.17.2026

- Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.

Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode

08.14.2026

- Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.

Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode

08.14.2026

- Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.

Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode

08.14.2026

- Features a low forward voltage drop in a low-profile package.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08.12.2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

Nexperia 400V/650V DPAK Recovery-Gleichrichter

08.12.2026

- Hyperschnelle und ultraschnelle DPAK Recovery-Gleichrichter für die Hochspannungs-Leistungsumwandlung.

STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor

08.11.2026

- Bietet extrem niedrige Leitungsverluste, Hochstromfähigkeit und ultraschnellen Schaltbetrieb.

STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.10.2026

- Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor

08.10.2026

- Ausgelegt für hocheffiziente und leistungsstarke Schaltapplikationen.

Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD-Schutzdioden

08.04.2026

- ESD-Schutzdioden für Netzwerke CAN, CAN FD, CAN SIC und CAN XL im Fahrzeugbereich.

onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)

07.30.2026

- Für den Ersatz eines einzelnen Bauteils und sein externes Widerstands-Bias-Netzwerk konzipiert.

onsemi NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET

07.30.2026

- Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.

ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

07.21.2026

- Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.

IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode

07.20.2026

- Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.

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